[發(fā)明專利]灰化設(shè)備及灰化方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110259110.X | 申請日: | 2021-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN113097047B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 解浩楠 | 申請(專利權(quán))人: | 長江存儲科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;G03F7/42;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡純;劉靜 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 灰化 設(shè)備 方法 | ||
1.一種灰化設(shè)備,其特征在于,包括:
反應(yīng)室,用于晶圓的灰化處理,得到灰化后晶圓;
傳送通道,與所述反應(yīng)室相連接,用于傳送所述灰化后晶圓至冷卻室;以及
所述冷卻室,與所述傳送通道相連接以接收所述灰化后晶圓,并用于所述灰化后晶圓的冷卻,
其中,所述灰化處理的溫度為第一溫度;
所述傳送通道中的至少一部分的溫度為第二溫度;
所述冷卻室的溫度為第三溫度;
所述第二溫度低于所述第一溫度,所述第三溫度低于所述第二溫度;
所述傳送通道設(shè)置有加熱單元,所述加熱單元用于所述傳送通道的加熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰化設(shè)備,其特征在于,所述反應(yīng)室還包括:
靜電吸附盤,用于放置所述晶圓,
其中,進(jìn)行所述灰化處理時(shí),所述靜電吸附盤的溫度為所述第一溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰化設(shè)備,其特征在于,所述傳送通道還包括:
溫度感測單元,用于檢測所述傳送通道中的溫度,
其中,所述加熱單元根據(jù)所述溫度感測單元檢測的溫度對所述傳送通道進(jìn)行加熱,以控制所述傳送通道中的至少一部分的溫度維持在所述第二溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰化設(shè)備,其特征在于,所述灰化設(shè)備還包括:
晶圓傳送盒,與所述冷卻室相連接,以接收在所述冷卻室中冷卻后的所述灰化后晶圓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的灰化設(shè)備,其特征在于,所述傳送通道還包括:
真空傳送模塊,與所述反應(yīng)室相連接,以接收反應(yīng)室傳送來的所述灰化后晶圓;
預(yù)真空傳送模塊,與所述真空傳送模塊相連接,以接收經(jīng)所述真空傳送模塊傳來的所述灰化后晶圓;以及
大氣傳送模塊,與所述預(yù)真空傳送模塊相連接,以接收經(jīng)所述預(yù)真空傳送模塊傳來的所述灰化后晶圓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的灰化設(shè)備,其特征在于,所述真空傳送模塊中的溫度為所述第二溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的灰化設(shè)備,其特征在于,所述預(yù)真空傳送模塊中的溫度為所述第二溫度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的灰化設(shè)備,其特征在于,所述真空傳送模塊為一腔體;所述真空傳送模塊設(shè)置有:
腔壁;
加熱單元,設(shè)置在所述腔壁內(nèi),用于所述腔體內(nèi)部的加熱;以及
溫度感測單元,所述溫度感測單元的至少一部分設(shè)置在所述腔體內(nèi)部,用于檢測所述腔體內(nèi)部的溫度,
其中,所述加熱單元根據(jù)所述溫度感測單元檢測的溫度對所述腔體內(nèi)部進(jìn)行加熱,以維持所述腔體內(nèi)部的溫度為所述第二溫度。
9.一種灰化方法,其特征在于,利用如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的灰化設(shè)備,包括:
將晶圓在第一溫度下進(jìn)行灰化反應(yīng),得到灰化后晶圓;
對所述灰化后晶圓進(jìn)行傳送,傳送過程中的至少一段處于第二溫度下;以及
所述灰化后晶圓在第三溫度下進(jìn)行冷卻,
其中,所述第二溫度低于所述第一溫度,所述第三溫度低于所述第二溫度。
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