[發明專利]半導體裝置和制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 202110258910.X
• 申請日: 2021-03-10
• 公開（公告）號: CN113410206A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 金進勇;杜旺朱;李相亨;易吉寒;柳智妍
• 申請（專利權）人: 安靠科技新加坡控股私人有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/13;H01L21/52;H01L21/60
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司 11408
• 代理人: 何尤玉;郭仁建

半導體裝置和制造半導體裝置的方法。一種半導體裝置包括第一襯底，第一襯底包括：第一傳導結構；第一主體，第一主體位于第一傳導結構之上并且包括限定第一主體中的腔的內側壁；第一界面電介質，第一界面電介質位于第一主體之上；以及第一內部互連件，第一內部互連件位于第一主體和第一界面電介質中并且與第一傳導結構耦接。半導體裝置進一步包括第二襯底，第二襯底位于第一襯底之上并且包括：第二界面電介質；第二主體，第二主體位于第二界面電介質之上；以及第二傳導結構，第二傳導結構位于第二主體之上并且包括第二主體和第二界面電介質中的第二內部互連件。電子組件位于腔中，并且第二內部互連件與第一內部互連件耦接。

技術領域

本公開總體上涉及電子裝置，并且更具體地涉及半導體裝置和用于制造半導體裝置的方法。

相關申請的交叉引用

本申請是于2020年3月17日提交的申請案第16/821,899號的連續申請案。所述申請案第16/821,899號特此通過引用整體并入。

背景技術

現有半導體封裝體和用于形成半導體封裝體的方法存在不足之處，例如造成成本過高、可靠性降低、性能相對較低或封裝體尺寸太大。對于本領域的技術人員來說，通過將常規和傳統方法與本公開進行比較并且參照附圖，這種方法的另外的局限性和缺點將變得明顯。

發明內容

根據本發明的態樣，一種半導體裝置，其特征在于，包括：第一襯底，所述第一襯底包括：第一傳導結構；第一主體，所述第一主體位于所述第一傳導結構之上并且包括限定所述第一主體中的腔的內側壁；第一界面電介質，所述第一界面電介質位于所述第一主體之上；以及第一內部互連件，所述第一內部互連件位于所述第一主體和所述第一界面電介質中并且與所述第一傳導結構耦接；第二襯底，所述第二襯底位于所述第一襯底之上并且包括：第二界面電介質；第二主體，所述第二主體位于所述第二界面電介質之上；以及第二傳導結構，所述第二傳導結構位于所述第二主體之上并且包括所述第二主體和所述第二界面電介質中的第二內部互連件；以及電子組件，所述電子組件位于所述腔中；其中所述第二內部互連件與所述第一內部互連件耦接。在所述半導體裝置中，所述第一內部互連件的一個面與所述第一界面電介質的一個面共面。在所述半導體裝置中，所述第二內部互連件的一個面與所述第二界面電介質的一個面共面。在所述半導體裝置中，所述第一內部互連件的頂面接觸所述第二內部互連件的底面。所述半導體裝置進一步包括互連材料，所述互連材料位于所述第一內部互連件與所述第二內部互連件之間。在所述半導體裝置中，所述第一內部互連件的一個面從所述第一界面電介質的一個面凹入，并且所述互連材料延伸到所述第一界面電介質中并且接觸所述第一內部互連件。在所述半導體裝置中，所述第二內部互連件的一個面從所述第二界面電介質的一個面凹入，并且所述互連材料延伸到所述第二界面電介質中并且接觸所述第二內部互連件。在所述半導體裝置中，所述第一內部互連件從所述第一主體凸出到所述第一界面電介質中。在所述半導體裝置中，所述第二內部互連件從所述第二主體凸出到所述第二界面電介質中。在所述半導體裝置中，所述第一主體包括第一無機材料，并且所述第一界面電介質包括不同于所述第一無機材料的第二無機材料。在所述半導體裝置中，所述第一界面電介質接觸所述第二界面電介質。在所述半導體裝置中，所述第二界面電介質接觸所述第一界面電介質和電子裝置。在所述半導體裝置中，所述第一主體包括硅。在所述半導體裝置中，所述第一主體包括玻璃。