[發(fā)明專利]線性穩(wěn)壓器、電子設(shè)備及線性穩(wěn)壓器折返限流的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110258285.9 | 申請日: | 2021-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN113009959B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉珍超 | 申請(專利權(quán))人: | 上海艾為電子技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F3/26 | 分類號: | G05F3/26 |
| 代理公司: | 深圳市嘉勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44651 | 代理人: | 董琳 |
| 地址: | 201100 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 線性 穩(wěn)壓器 電子設(shè)備 折返 限流 方法 | ||
1.一種具有折返限流功能的線性穩(wěn)壓器,其特征在于,包括:
誤差放大模塊,用于對參考電壓和采樣電壓進(jìn)行誤差放大,并輸出誤差放大信號,所述采樣電壓采樣自線性穩(wěn)壓器的輸出電壓;
輸出模塊,連接至所述誤差放大模塊的輸出端,包括功率管,用于根據(jù)所述誤差放大信號輸出所述輸出電壓;
折返限流模塊,連接至所述誤差放大模塊的輸出端以及所述輸出模塊的輸出端,用于根據(jù)負(fù)載電流和所述輸出電壓向所述誤差放大模塊的輸出端施加限流信號,以減小所述功率管的源漏電流,包括:
在所述負(fù)載電流大于預(yù)設(shè)電流時(shí),提供第一限流信號,以將所述源漏電流限制在第一限流閾值以下;
在所述源漏電流被限制在第一限流閾值以下,且所述輸出電壓減小至小于等于第一預(yù)設(shè)電壓時(shí),繼續(xù)提供第二限流信號,以將所述源漏電流限制在第二限流閾值以下,且所述第一限流閾值大于所述第二限流閾值;
在所述源漏電流被限制在第二限流閾值以下,且所述輸出電壓繼續(xù)減小至小于第二預(yù)設(shè)電壓時(shí),繼續(xù)提供第三限流信號,以將所述源漏電流限制在第三限流閾值以下,且所述第二限流閾值大于所述第三限流閾值,所述第一預(yù)設(shè)電壓表征限流狀態(tài)和第一次折返狀態(tài)之間的界限,所述第二預(yù)設(shè)電壓表征所述第一次折返狀態(tài)和第二次折返狀態(tài)之間的界限。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線性穩(wěn)壓器,其特征在于,所述功率管的柵極連接至所述誤差放大模塊的輸出端,所述折返限流模塊包括:
采樣子模塊,連接至所述輸出模塊的輸出端,用于獲取采樣電流,所述采樣電流采樣自所述負(fù)載電流;
調(diào)整子模塊,連接至所述采樣子模塊,并連接至所述誤差放大模塊的輸出端和所述輸出模塊的輸出端,用于在所述輸出電壓和采樣電流的控制下向所述功率管的柵極依次輸出第一限流信號、第二限流信號以及第三限流信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的線性穩(wěn)壓器,其特征在于,所述調(diào)整子模塊包括:
分流單元,一端連接至所述采樣子模塊,用于根據(jù)所述輸出電壓對所述采樣電流進(jìn)行分流,以改變流入至調(diào)整單元的調(diào)節(jié)電流的大小;
調(diào)整單元,一端連接至所述誤差放大模塊的輸出端,一端連接至所述采樣子模塊,用于根據(jù)所述調(diào)節(jié)電流的大小,向所述功率管的柵極依次輸出所述第一限流信號、第二限流信號以及第三限流信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的線性穩(wěn)壓器,其特征在于,所述分流單元包括:
第一電流源,用于提供電流,且所述第一電流源提供的電流的方向與自所述采樣子模塊流入至所述分流單元的電流的方向相反;
開關(guān)單元,設(shè)置于所述第一電流源以及所述采樣子模塊之間,用于根據(jù)所述輸出電壓控制所述第一電流源以及所述采樣子模塊的連接通路的通斷。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的線性穩(wěn)壓器,其特征在于,所述開關(guān)單元包括:
第一NMOS管,源極通過所述第一電流源接地,漏極連接所述采樣子模塊的輸出端;
第二電流源,一端連接至所述第一NMOS管的柵極,一端接地,用于提供電流,且所述第二電流源提供的電流的方向?yàn)閺慕拥囟肆飨蛩龅谝籒MOS管的柵極;
第一電阻,一端用于接收所述輸出電壓,另一端連接至所述第二電流源;
根據(jù)所述第一NMOS管的柵壓與所述第一NMOS管的導(dǎo)通閾值的關(guān)系控制所述第一電流源以及所述采樣子模塊的連接通路的通斷,在所述柵壓大于等于所述導(dǎo)通閾值時(shí),所述第一NMOS管開啟,所述第一電流源以及所述采樣子模塊的連接通路導(dǎo)通,否則所述第一電流源以及所述采樣子模塊的連接通路斷開。
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