[發明專利]閃存器件的制備方法

在審

• 申請號: 202110258184.1
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN112908856A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 王旭峰;于濤
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L27/11524
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種閃存器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底上依次形成第一介質層、浮柵層及第二介質層；

依次刻蝕所述第二介質層及浮柵層以形成開口，所述開口顯露出所述第一介質層，刻蝕完成后所述浮柵層形成浮柵尖端；

在所述開口的側壁上形成側墻；

在所述開口中填充擦除柵層；

對所述擦除柵層進行退火工藝，且所述退火工藝的工藝氣體為氮氣。

2.如權利要求1所述的閃存器件的制備方法，其特征在于，所述退火工藝的退火溫度為820℃～860℃，所述退火工藝的退火時間為30min～60min。

3.如權利要求2所述的閃存器件的制備方法，其特征在于，所述退火工藝的退火溫度為850℃，所述退火工藝的退火時間為60min。

4.如權利要求1所述的閃存器件的制備方法，其特征在于，依次刻蝕所述第二介質層及浮柵層以形成開口，所述開口顯露出所述第一介質層以及在所述開口的側壁上形成側墻的步驟包括：

刻蝕所述第二介質層以形成顯露出所述浮柵層的第一開口，在所述第一開口的側壁上形成第一側墻；

以所述第一側墻為掩模刻蝕所述浮柵層以形成顯露出所述第一介質層的第二開口，所述第二開口與所述第一開口連通并構成所述開口；

橫向濕法刻蝕以減薄所述第一側墻，以顯露出所述浮柵尖端；

在所述第二開口的側壁上、所述第一側墻上及所述浮柵尖端上形成第二側墻，所述第一側墻及所述第二側墻構成所述側墻。

5.如權利要求4所述的閃存器件的制備方法，其特征在于，在所述第二開口的側壁上及所述第一側墻上形成第二側墻之前，還包括：

對所述第二開口底部的襯底進行離子注入以在所述襯底中形成源區。

6.如權利要求1所述的閃存器件的制備方法，其特征在于，在所述開口中填充擦除柵層后，還包括：

在所述擦除柵層上形成氧化層。

7.如權利要求4所述的閃存器件的制備方法，其特征在于，對所述擦除柵層進行退火工藝后，還包括：

刻蝕去除所述第二介質層，以顯露出所述第一側墻的側面；

以所述第一側墻為掩模依次刻蝕所述浮柵層及所述第一介質層，以形成顯露出所述襯底的表面的第三開口。

8.如權利要求7所述的閃存器件的制備方法，其特征在于，在顯露出所述襯底的表面后，還包括：

在所述第三開口的側壁上形成第三側墻，所述第三側墻覆蓋所述浮柵層的側面。

9.如權利要求8所述的閃存器件的制備方法，其特征在于，在所述第三開口的側壁上形成第三側墻后，還包括：

在所述第三側墻及所述第一側墻上形成字線柵層。

10.如權利要求9所述的閃存器件的制備方法，其特征在于，在所述第三側墻及所述第一側墻上形成字線柵層后，還包括：

對所述字線柵層的外側的襯底進行離子注入以在所述襯底中形成漏區。