[發明專利]紅外發光二極管外延片及其制備方法在審
| 申請號： | 202110258026.6 | 申請日： | 2021-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN113193088A | 公開（公告）日： | 2021-07-30 |
| 發明（設計）人： | 王世俊;董耀盡;張振龍 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 紅外 發光二極管 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種紅外發光二極管外延片，其特征在于，所述紅外發光二極管外延片包括襯底及依次層疊在所述襯底上的n型GaInP腐蝕停層、n型GaAs歐姆接觸層、n型AlGaAs電流擴展層、n型AlGaAs限制層、發光層、p型AlGaAs限制層，p型AlGaAs電流擴展層及p型GaAsP歐姆接觸層。
2.根據權利要求1所述的紅外發光二極管外延片，其特征在于，所述p型GaAsP歐姆接觸層的厚度為55nm～120nm。
3.根據權利要求1所述的紅外發光二極管外延片，其特征在于，所述p型GaAsP歐姆接觸層中的p型摻雜元素為碳。
4.根據權利要求1～3任一項所述的紅外發光二極管外延片，其特征在于，所述p型GaAsP歐姆接觸層包括依次層疊在所述p型AlGaAs電流擴展層的漸變子層與匹配子層，所述漸變子層中的P組分沿所述漸變子層的生長方向升高；所述匹配子層中的P組分不變。
5.根據權利要求4所述的紅外發光二極管外延片，其特征在于，所述漸變子層中P組分由0.05漸變至y，0.15≦y≦0.3；所述匹配子層中P組分大于或者等于0.15，所述匹配子層中P組分小于或者等于0.3。
6.根據權利要求5所述的紅外發光二極管外延片，其特征在于，所述匹配子層中的P組分與所述漸變子層中P組分的最大值相等。
7.根據權利要求4所述的紅外發光二極管外延片，其特征在于，所述漸變子層的厚度與所述匹配子層的厚度分別為5～20nm和50～100nm。
8.根據權利要求4所述的紅外發光二極管外延片，其特征在于，所述漸變子層中摻雜的碳元素濃度與所述匹配子層中摻雜的碳元素濃度分別為1～3E18和3E19～5E20。
9.一種紅外發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述紅外發光二極管外延片制備方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上生長n型GaInP腐蝕停層；
在所述n型GaInP腐蝕停層上生長n型GaAs歐姆接觸層；
在所述n型GaAs歐姆接觸層上生長n型AlGaAs電流擴展層；
在所述n型AlGaAs電流擴展層上生長n型AlGaAs限制層；
在所述n型AlGaAs限制層上生長發光層；
在所述發光層上生長p型AlGaAs限制層；
在所述p型AlGaAs限制層上生長p型AlGaAs電流擴展層；
在所述p型AlGaAs電流擴展層上生長p型GaAsP歐姆接觸層。
10.根據權利要求9所述的紅外發光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述在所述p型AlGaAs電流擴展層上生長p型GaAsP歐姆接觸層，包括：
在所述p型AlGaAs電流擴展層上生長漸變子層；
在所述漸變子層上生長匹配子層，所述漸變子層與所述匹配子層的材料均為GaAsP，所述匹配子層的生長溫度低于所述漸變子層的生長溫度。
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