[發明專利]壓力傳感器及其制作方法、及電子設備

有效

• 申請號: 202110257462.1
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN113029403B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 李伊夢;李向光;王超
• 申請（專利權）人: 歌爾微電子股份有限公司
• 主分類號: G01L1/22
• 分類號: G01L1/22;G01L9/04
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 梁馨怡

1.一種壓力傳感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底的表面開設有凹槽；

石墨烯感應層，所述石墨烯感應層設于所述基底設有所述凹槽的表面，并覆蓋所述凹槽以形成壓力腔；以及

壓電材料層，所述壓電材料層設于所述石墨烯感應層背向所述基底的表面；

其中，所述壓電材料層中壓電材料為鋯鈦酸鉛。

2.如權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述壓電材料層的厚度范圍為500nm-1000nm。

3.如權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述石墨烯感應層的厚度范圍為0.3nm-0.4nm。

4.如權利要求1至3中任一項所述的壓力傳感器，其特征在于，所述基底包括硅基底和設于所述硅基底表面的硅基底，所述凹槽開設于所述硅基底背向所述硅基底的表面，并貫穿所述硅基底的另一表面。

5.如權利要求4所述的壓力傳感器，其特征在于，所述硅基底的厚度范圍為0.5μm-1μm；

和/或，所述硅基底的厚度范圍為300μm-500μm。

6.如權利要求1至3中任一項所述的壓力傳感器，其特征在于，所述壓力傳感器還包括電極，所述電極設于所述基底朝向所述石墨烯感應層的表面，且所述電極電性抵接于所述石墨烯感應層。

7.一種壓力傳感器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

制作一基底，并在所述基底的表面開設凹槽；

在所述基底設有所述凹槽的表面制作一層石墨烯感應層，使得所述石墨烯感應層覆蓋所述凹槽以形成壓力腔；

在所述石墨烯感應層背向所述基底的表面制作一層壓電材料層，干燥后得到壓力傳感器。

8.如權利要求7所述壓力傳感器的制作方法，其特征在于，在所述石墨烯感應層背向所述基底的表面制作一層壓電材料層，干燥后得到壓力傳感器的步驟中，包括：

將鋯鈦酸鉛納米線溶解于有機醇溶劑中，得到鋯鈦酸鉛膜液，

將所述鋯鈦酸鉛膜液涂覆在所述石墨烯感應層背向所述基底的表面，干燥后得到壓力傳感器。

9.如權利要求8所述壓力傳感器的制作方法，其特征在于，所述鋯鈦酸鉛納米線與所述有機醇溶劑的配比范圍為(10mg-20mg):(10ml-15ml)；

和/或，所述鋯鈦酸鉛納米線的直徑范圍為270nm-300nm。

10.如權利要求7至9中任一項所述壓力傳感器的制作方法，其特征在于，所述制作一基底，并在所述基底的表面開設凹槽的步驟中，包括：

在硅基底的表面制作一層硅基底；

在所述硅基底背向所述硅基底的表面開設凹槽，使得所述凹槽貫穿所述硅基底的另一表面。

11.如權利要求7至9中任一項所述壓力傳感器的制作方法，其特征在于，在所述基底設有所述凹槽的表面制作一層石墨烯感應層，使得所述石墨烯感應層覆蓋所述凹槽以形成壓力腔的步驟之后，還包括：

在所述基底朝向所述石墨烯感應層的表面制作電極，使得所述電極電性抵接于所述石墨烯感應層。

12.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括如權利要求1至6中任一項所述壓力傳感器。