[發(fā)明專(zhuān)利]一種智能功率芯片

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110257282.3
• 申請(qǐng)日: 2021-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113053836A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張國(guó)華;唐金輝;田政;張建文;洪軍旗;黃珍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市恒驅(qū)電機(jī)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/31
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 深圳市朝聞專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 44454
• 代理人: 譚育華

1.一種智能功率芯片，其特征在于，包括：

位置傳感模塊、功率模塊和溫度傳感模塊；

所述位置傳感模塊包含場(chǎng)效應(yīng)管、放大器、比較器及輸出電路；

所述功率模塊包含第一功率器件和第二功率器件；

所述場(chǎng)效應(yīng)管與放大器進(jìn)行電性連接，所述場(chǎng)效應(yīng)管用于感知轉(zhuǎn)子位置，并將感知后得到的電信號(hào)通過(guò)所述放大器進(jìn)行放大；

所述放大器與所述比較器電性連接，通過(guò)所述放大器將放大后的電信號(hào)輸入所述比較器進(jìn)行比較從而確定轉(zhuǎn)子位置信息；

所述比較器與所述輸出電路電性連接，所述輸出電路用于將所述轉(zhuǎn)子位置信息輸入外接控制器中，以使得所述外接控制器獲取所述轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)子位置并根據(jù)所述轉(zhuǎn)子位置生成所述功率模塊的控制信號(hào)，所述外接控制器向所述功率電路發(fā)送控制信號(hào)控制所述功率電路中H橋的接通的位置，從而控制所述功率電路連通所述第一功率器件或所述第二功率器件，生成磁場(chǎng)控制轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)模式；

所述溫度傳感器，用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)環(huán)境溫度并將所述感應(yīng)信號(hào)發(fā)送至外接控制器，所述溫度傳感器與所述位置傳感模塊相連，在所述溫度傳感器感受到溫度變化后會(huì)形成電位差，從而生成感應(yīng)信號(hào)輸入所述外接控制器，使得所述外界控制器實(shí)時(shí)獲取智能功率芯片在工作時(shí)的溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能功率芯片，其特征在于，所述溫度傳感器的接地端與所述位置傳感模塊的接地端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能功率芯片，其特征在于，所述第一功率器件和所述第二功率器件為場(chǎng)效應(yīng)管。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種智能功率芯片，其特征在于，所述第一功率器件的S極與所述第二功率器件的D極連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的一種智能功率芯片，其特征在于，所述功率模塊、位置傳感模塊、溫度傳感器和基板相連通。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種智能功率芯片，其特征在于，所述基板的配線以?xún)蓪踊騼蓪右陨系幕鍢?gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的一種智能功率芯片，其特征在于，所述功率模塊和所述位置傳感模塊由MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶圓和Hall霍爾晶圓組成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的一種智能功率芯片，其特征在于，所述功率模塊和所述位置傳感模塊通過(guò)晶圓光刻生成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的一種智能功率芯片，其特征在于，所述智能功率芯片的封裝方式為QFN封裝、DFN封裝、QFP封裝或DFP封裝。