[發明專利]半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202110257107.4
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN113410216A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 施信益
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/48;H01L23/485
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體元件，包括：

一第一半導體結構；以及

一第一連接結構，包括一第一連接隔離層、兩個第一導電層以及一第一多孔層，該第一連接隔離層位在該第一半導體結構上，該兩個第一導電層位在該第一連接隔離層中，該多孔層位在該兩個第一導電層之間；

其中，該第一多孔層的一孔隙率介于大約25％到大約100％之間。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中，該第一連接隔離層包括一第一下隔離層以及一第一上隔離層，該第一下隔離層位在該第一半導體結構上，該第一上隔離層位在該第一下隔離層上，其中該兩個第一導電層穿過該第一下隔離層與該第一上隔離層，且該第一多孔層穿過該第一上隔離層并延伸進入該第一下隔離層。

3.如權利要求2所述的半導體元件，其中，該兩個第一導電層包括兩個第一部分以及兩個第二部分，該兩個第一部分位在該第一半導體結構上，該兩個第二部分位在該兩個第一部分上，其中該兩個第二部分的一寬度大于該兩個第一部分的一寬度。

4.如權利要求3所述的半導體元件，還包括多個第一上襯墊，位在該第一上隔離層上，并圍繞該兩個第二部分設置。

5.如權利要求4所述的半導體元件，還包括多個第一下襯墊，位在該多個第一上襯墊與該第一上隔離層之間、在該兩個第一導電層與該第一上隔離層之間、在該二第一導電層與該第一下隔離層之間、在該第一多孔層與該第一上隔離層之間，以及在該第一多孔層與該第一下隔離層之間。

6.如權利要求5所述的半導體元件，其中，該多個第一下襯墊的下表面位在一垂直高度，是高于該第一半導體結構的一上表面的一垂直高度。

7.如權利要求6所述的半導體元件，還包括多個阻障層，位在該兩個第一導電層與該多個第一上襯墊之間、在該兩個第一導電層與該多個第一下襯墊之間、在該兩個第一導電層與該第一上隔離層之間，以及在該兩個第一導電層與該第一半導體結構之間。

8.如權利要求7所述的半導體元件，其中，該第一半導體結構包括多個第一導電特征，位在該兩個第一部分下方，其中該多個第一導電特征的一寬度大于該兩個第一部分的一寬度。

9.如權利要求8所述的半導體元件，還包括一第二半導體結構，位在該第一連接結構上，并包括多個第二導電特征，位在該兩個第二部分上，其中該多個第二導電特征的一寬度大于該兩個第二部分的該寬度。

10.如權利要求9所述的半導體元件，還包括一第三多孔層，位在該多個第一上襯墊與該第二半導體結構之間，并圍繞該兩個第二部分設置，其中該第三多孔層的一孔隙率介于大約25％到大約50％之間。

11.如權利要求9所述的半導體元件，還包括一第三多孔層以及一第四多孔層，該第三多孔層位在該多個第一上襯墊上，該第四多孔層位在該第三多孔層與該第二半導體結構之間，其中該第四多孔層的一孔隙率小于該第三多孔層的一孔隙率。

12.如權利要求11所述的半導體元件，其中，該第三多孔層的該孔隙率介于大約50％到大約85％之間。

13.如權利要求9所述半導體元件，其中，該第二半導體結構包括多個保護環，位在該第一連接結構上，且該第一連接結構包括多個第一支撐層，位在該多個保護環下方，其中該多個第一支撐層的一厚度小于該兩個第一導電層的一厚度。

14.如權利要求9所述的半導體元件，還包括一第二連接結構，位在該第一連接結構與該第二半導體結構之間，其中該第二連接結構包括二第二導電層以及一第二多孔層，該二第二導電層位在該兩個第一導電層與該多個第二導電特征之間，該第二多孔層位在該二第二導電層之間，其中該第二多孔層的一孔隙率介于大約25％到大約100％之間。