[發明專利]穩壓二極管的制備方法

在審

• 申請號: 202110257099.3
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN112908850A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 令海陽
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種穩壓二極管的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底上形成外延層，對所述外延層進行離子注入以在所述外延層中形成若干阱區；

在所述外延層上形成硅化物層，所述硅化物層覆蓋所述外延層；

刻蝕所述硅化物層的部分厚度以使所述硅化物層中形成若干凸起部，所述凸起部位于所述阱區的中心區域的上方；

對所述凸起部相對的兩側下方的所述阱區分別進行離子注入，以形成第一摻雜區和第二摻雜區。

2.如權利要求1所述的穩壓二極管的制備方法，其特征在于，所述凸起部的厚度為

3.如權利要求2所述的穩壓二極管的制備方法，其特征在于，所述硅化物層中相鄰兩個所述凸起部之間的部分的厚度小于

4.如權利要求1所述的穩壓二極管的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區及所述第二摻雜區注入的離子類型不同。

5.如權利要求4所述的穩壓二極管的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區及所述第二摻雜區注入的離子類型分別為N型及P型。

6.如權利要求1所述的穩壓二極管的制備方法，其特征在于，對所述凸起部相對的兩側下方的所述阱區分別進行離子注入，以形成第一摻雜區和第二摻雜區的步驟包括：

對所述凸起部第一側下方的所述阱區進行離子注入，以形成所述第一摻雜區；

對所述凸起部第二側下方的所述阱區進行離子注入，以形成所述第二摻雜區。

7.如權利要求6所述的穩壓二極管的制備方法，其特征在于，對所述凸起部第一側下方的所述阱區進行離子注入，以形成所述第一摻雜區；以及，對所述凸起部第二側下方的所述阱區進行離子注入，以形成所述第二摻雜區的步驟包括：

在所述硅化物層上形成第一光刻膠層；

提供第一光罩，所述第一光罩上具有若干第一透光區，一個所述第一透光區對應于一個所述阱區位于所述凸起部第一側的部分，所述第一透光區與所述凸起部的邊緣區域具有第一重疊部分；

利用所述第一光罩對所述第一光刻膠層進行圖形化；

以圖形化后的所述第一光刻膠層為掩模對所述凸起部第一側下方的所述阱區進行離子注入以形成所述第一摻雜區；以及，

在所述硅化物層上形成第二光刻膠層；

提供第二光罩，所述第二光罩上具有若干第二透光區，一個所述第二透光區對應于一個所述阱區位于所述凸起部第二側的部分，所述第二透光區與所述凸起部的邊緣區域具有第二重疊部分；

利用所述第二光罩對所述第二光刻膠層進行圖形化；

以圖形化后的所述第二光刻膠層為掩模對所述凸起部第二側下方的所述阱區進行離子注入以形成所述第二摻雜區。

8.如權利要求7所述的穩壓二極管的制備方法，其特征在于，所述第一重疊部分及所述第二重疊部分的寬度均為0.1μm。

9.如權利要求1所述的穩壓二極管的制備方法，其特征在于，對所述外延層進行離子注入之前，還包括：

在所述外延層中形成溝槽隔離結構，所述溝槽隔離結構限定出所述阱區的位置。

10.如權利要求1所述的穩壓二極管的制備方法，其特征在于，所述阱區注入的離子類型為N型或P型。