[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110256957.2
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN113451202A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張志熏;崔智旻;李瑌真;張賢禹;韓正勛
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/538;H01L27/088
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：

在襯底上形成第一電介質(zhì)層；

在所述第一電介質(zhì)層中形成通路；

在所述第一電介質(zhì)層上順序地形成第一金屬圖案、第一金屬氧化物圖案、第二金屬圖案和抗反射圖案；和

執(zhí)行退火工藝以使所述第一金屬氧化物圖案和所述第二金屬圖案彼此反應(yīng)以形成第二金屬氧化物圖案，

其中，形成所述第二金屬氧化物圖案包括通過所述第二金屬圖案的金屬元素與所述第一金屬氧化物圖案的氧元素之間的反應(yīng)來形成所述第二金屬氧化物圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一電介質(zhì)層上順序地形成所述第一金屬圖案、所述第一金屬氧化物圖案、所述第二金屬圖案和所述抗反射圖案包括：

在所述第一電介質(zhì)層上形成第一金屬層；

在所述第一金屬層上形成第一金屬氧化物層；

在所述第一金屬氧化物層上順序地形成第二金屬層和抗反射層；和

蝕刻所述第一金屬層、所述第一金屬氧化物層、所述第二金屬層和所述抗反射層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述通路包括與所述第一金屬圖案的材料、所述第二金屬圖案的材料或者所述第一金屬圖案的材料和所述第二金屬圖案的材料不同的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一金屬圖案和所述第二金屬圖案包括彼此不同的材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述第一金屬圖案包括鋁，并且

所述第二金屬圖案包括鈦。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述抗反射圖案包括導(dǎo)電金屬氮化物，并且

所述抗反射圖案包括與所述第二金屬圖案的金屬元素相同的金屬元素。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括：

在執(zhí)行所述退火工藝之前，在所述抗反射圖案上形成第二電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層覆蓋所述第一金屬圖案的側(cè)表面、所述第一金屬氧化物圖案的側(cè)表面、所述第二金屬圖案的側(cè)表面以及所述抗反射圖案的側(cè)表面；和

在所述第二電介質(zhì)層上形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述第二電介質(zhì)層，

其中，所述鈍化層包括與所述第一電介質(zhì)層的材料和所述第二電介質(zhì)層的材料不同的材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一電介質(zhì)層中形成所述通路包括：

去除所述第一電介質(zhì)層的一部分以形成通孔；

形成填充所述通孔的一部分的阻擋層；和

形成填充所述通孔的剩余部分的所述通路。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述阻擋層包括與所述抗反射圖案的材料不同的材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述退火工藝在300℃至500℃下執(zhí)行。

11.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：

襯底；

第一金屬圖案，位于所述襯底上；

第二金屬圖案，位于所述第一金屬圖案上；

通路，位于所述第一金屬圖案與所述第二金屬圖案之間；

金屬氧化物圖案，位于所述第二金屬圖案上；和

抗反射圖案，位于所述金屬氧化物圖案上，

其中，所述第二金屬圖案包括鋁，

所述金屬氧化物圖案包括氧化鈦，

所述抗反射圖案包括氮化鈦，

所述通路包括與所述第二金屬圖案的金屬材料不同的金屬材料，并且

所述第一金屬圖案包括與所述第二金屬圖案的金屬材料和所述通路的金屬材料不同的金屬材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述通路包括鎢，并且

所述第一金屬圖案包括銅。