[發明專利]像素和包括該像素的顯示裝置

在審

• 申請號: 202110256273.2
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN113554988A
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 金根佑;郭惠娜;金相燮;金太輝
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G09G3/3233
• 分類號: G09G3/3233
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 史迎雪;康泉

1.一種像素，包括：

驅動晶體管，包括半導體層和柵電極；以及

補償晶體管，連接到所述驅動晶體管的所述柵電極和所述半導體層，

其中所述補償晶體管包括：

第一子晶體管，包括在一時段期間接收具有第一電壓電平的第一掃描信號的第一柵電極；以及

第二子晶體管，并聯連接到所述第一子晶體管，并且包括在同一時段期間接收具有作為所述第一電壓電平的反相的第二電壓電平的第二掃描信號的第二柵電極。

2.根據權利要求1所述的像素，其中，所述第一子晶體管為P溝道薄膜晶體管，并且所述第二子晶體管為N溝道薄膜晶體管。

3.根據權利要求1所述的像素，進一步包括：

第一掃描線，將所述第一掃描信號傳輸到所述第一子晶體管并且連接到所述第一子晶體管；以及

第二掃描線，將所述第二掃描信號傳輸到所述第二子晶體管并且連接到所述第二子晶體管，

其中所述第一掃描線和所述第二掃描線平行地延伸，而所述驅動晶體管在所述第一掃描線和所述第二掃描線之間。

4.根據權利要求1所述的像素，進一步包括：

第一節點電極，將所述第一子晶體管的半導體層與所述驅動晶體管的所述柵電極彼此連接；以及

第二節點電極，將所述第二子晶體管的半導體層與所述驅動晶體管的所述柵電極彼此連接。

5.根據權利要求4所述的像素，進一步包括：

電容器，與所述驅動晶體管重疊。

6.根據權利要求4所述的像素，進一步包括：

數據線和驅動電壓線，與所述第一節點電極設置在同一層上。

7.根據權利要求4所述的像素，其中，所述驅動晶體管為P溝道薄膜晶體管。

8.根據權利要求1所述的像素，其中，所述第一子晶體管和所述第二子晶體管中的每個包括包含硅的半導體層。

9.根據權利要求1所述的像素，其中，所述第一子晶體管包括包含硅的半導體層，并且所述第二子晶體管包括包含氧化物的半導體層。

10.根據權利要求9所述的像素，進一步包括：

初始化晶體管，連接到所述驅動晶體管的所述柵電極和初始化電壓線。

11.根據權利要求10所述的像素，其中，所述初始化晶體管包括包含氧化物的半導體層。

12.一種像素，包括：

驅動晶體管，包括半導體層和柵電極；以及

補償晶體管，連接到所述驅動晶體管的所述柵電極和所述半導體層，

其中所述補償晶體管包括：

第一子晶體管，包括在一時段期間接收具有第一電壓電平的第一掃描信號的第一柵電極以及在同一時段期間接收作為所述第一電壓電平的反相的第二電壓電平的第二掃描信號的第二柵電極；以及

第二子晶體管，串聯連接到所述第一子晶體管并且包括接收所述第一掃描信號的第三柵電極。

13.根據權利要求12所述的像素，進一步包括：

第一掃描線，連接到所述第一子晶體管的所述第一柵電極和所述第二子晶體管的所述第三柵電極；以及

第二掃描線，連接到所述第一子晶體管的所述第二柵電極。

14.根據權利要求13所述的像素，其中，所述第二柵電極被設置在所述第一柵電極的下層上，并且

所述第三柵電極與所述第一柵電極設置在同一層上。

15.根據權利要求12所述的像素，進一步包括：

電容器，與所述驅動晶體管重疊。