[發明專利]半導體器件和半導體結構

在審

• 申請號: 202110255891.5
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN113113468A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

第一溝道構件，包括第一溝道部分和第一連接部分；

第二溝道構件，包括第二溝道部分和第二連接部分；

柵極結構，設置在所述第一溝道部分和所述第二溝道部分周圍，所述柵極結構包括柵極介電層和柵電極；以及

內部間隔部件，設置在所述第一連接部分與所述第二連接部分之間，

其中，所述柵極介電層部分地在所述內部間隔部件與所述第一連接部分之間以及所述內部間隔部件與所述第二連接部分之間延伸，

其中，在所述內部間隔部件與所述第一連接部分之間以及在所述內部間隔部件與所述第二連接部分之間不存在所述柵電極。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一溝道部分的厚度基本上等于所述第一連接部分的厚度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

源極/漏極部件，其中，所述第一連接部分和所述第二連接部分耦合到所述源極/漏極部件。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中，所述內部間隔部件包括鄰近所述柵極介電層的第一內部間隔件層和鄰近所述源極/漏極部件的第二內部間隔件層，

其中，所述第一內部間隔件層的介電常數大于所述第二內部間隔件層的介電常數。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一溝道構件和所述第二溝道構件沿著第一方向縱向延伸，

其中，所述第二溝道構件設置在所述第一溝道構件上方，

其中，所述柵電極包括設置在所述第二溝道部分上方的最頂部分和設置在所述第一溝道部分與所述第二溝道部分之間的構件間部分，

其中，所述最頂部分沿著所述第一方向的長度大于所述構件間部分沿著所述第一方向的長度。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，還包括：

柵極間隔件層，沿著所述最頂部分的側壁設置，

其中，所述第二連接部分設置在所述內部間隔部件與所述柵極間隔件層之間，

其中，所述柵極間隔件層沿著所述第一方向的寬度小于所述內部間隔部件沿著所述第一方向的寬度。

7.根據權利要求5所述的半導體器件，

其中，所述柵極結構沿著垂直于所述第一方向的第二方向縱向延伸，

其中，當沿著所述第二方向觀察時，所述內部間隔部件具有C形。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，

其中，所述柵極結構沿著垂直于所述第一方向的第二方向縱向延伸，

其中，當沿著所述第二方向觀察時，所述內部間隔部件在所述柵電極的所述最頂部分下方延伸。

9.一種半導體結構，包括：

柵極結構，沿著第一方向縱向延伸；

隔離柵極結構，平行于所述柵極結構延伸；

源極/漏極部件，沿著垂直于所述第一方向的第二方向設置在所述柵極結構與所述隔離柵極結構之間；以及

多個第一半導體部件，沿著所述第二方向夾在所述隔離柵極結構與所述源極/漏極部件之間，所述多個第一半導體部件沿著垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向彼此堆疊，

其中，所述多個第一半導體部件與多個內部間隔部件交錯。

10.一種半導體器件，包括：

第一源極/漏極部件和第二源極/漏極部件；

多個溝道構件，垂直堆疊并沿著一個方向在所述第一源極/漏極部件與所述第二源極/漏極部件之間延伸；

多個內部間隔部件，與所述第一源極/漏極部件接觸并與所述多個溝道構件交錯；以及

柵極結構，設置在所述多個溝道構件上方并包裹所述多個溝道構件，

其中，所述柵極結構包括與所述多個內部間隔部件接觸的柵極介電層和與所述多個內部間隔部件間隔開的柵電極，

其中，所述柵極介電層部分地在所述多個溝道構件與所述多個內部間隔部件之間延伸。