[發(fā)明專利]一種顯示面板和顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110255750.3 | 申請日: | 2021-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN113035924A | 公開(公告)日: | 2021-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王作家;陳立強;石佳凡;王青松;周超 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L23/66;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 于本雙 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,具有第一顯示區(qū)和第二顯示區(qū),所述第一顯示區(qū)的像素密度低于所述第二顯示區(qū)的像素密度;
所述顯示面板包括襯底基板和蓋板、以及位于所述襯底基板與所述蓋板之間的天線,所述天線位于所述第一顯示區(qū),且位于像素之間。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括位于所述襯底基板與所述蓋板之間的第一導電層、第二導電層,以及位于所述第一導電層與所述第二導電層之間的絕緣層;
所述天線包括第一導線和第二導線,所述第一導線與所述第一導電層同層設(shè)置并避讓所述第一導電層的圖案;所述第二導線與所述第二導電層同層設(shè)置并避讓所述第二導電層的圖案;所述第一導線與所述第二導線之間通過貫穿所述絕緣層的過孔電連接。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一導電層為柵極層,包括柵線的圖案;
所述第一導線沿所述柵線的延伸方向延伸。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第二導電層為源漏電極層,包括數(shù)據(jù)線的圖案;
所述第二導線沿所述數(shù)據(jù)線的延伸方向延伸。
5.如權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一導電層為第一觸控電極層,包括第一觸控電極的圖案;
所述第一導線沿所述第一觸控電極的延伸方向延伸。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第二導電層為第二觸控電極層,包括第二觸控電極的圖案;
所述第二導線沿所述第二觸控電極的延伸方向延伸。
7.如權(quán)利要求1-4任一項所述的顯示面板,其特征在于,還包括位于所述天線與所述蓋板之間的陰極層;
所述陰極層設(shè)有第一開口,所述第一開口位于所述第一顯示區(qū),被配置為暴露至少部分所述天線。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述第一開口的形狀與所述天線的形狀相同,且所述天線在所述陰極層所在平面上的投影位于所述第一開口內(nèi)。
9.如權(quán)利要求1-4任一項所述的顯示面板,其特征在于,還包括位于所述天線與所述蓋板之間的觸控電極層;
在所述第一顯示區(qū),所述觸控電極層的電極圖案被配置為避開所述天線的圖案。
10.如權(quán)利要求1-6任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述天線在所述襯底基板上的投影為矩形螺旋狀。
11.如權(quán)利要求1-6任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述第一顯示區(qū)的像素密度為所述第二顯示區(qū)的像素密度的3/10-7/10。
12.如權(quán)利要求1-6任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述第一顯示區(qū)為曲面顯示區(qū),所述第二顯示區(qū)為平面顯示區(qū)。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示面板,其特征在于,所述第一顯示區(qū)包括兩部分,所述兩部分分別位于所述第二顯示區(qū)相對的兩側(cè)。
14.如權(quán)利要求12所述的顯示面板,其特征在于,所述第二顯示區(qū)包括兩部分,所述兩部分分別位于所述第一顯示區(qū)相對的兩側(cè)且平行設(shè)置。
15.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-14任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





