[發明專利]一種超薄單基板顯示結構及其透明導電膜制備方法

在審

• 申請號: 202110255690.5
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN112882607A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 楊柏儒;龔又又;羅青云;楊明陽;吳梓毅;陳俊偉;鐘敏
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 郭帥

1.一種超薄單基板顯示結構，包括基板襯底、設置在所述基板襯底上方的薄膜晶體管、設置在所述薄膜晶體管上方的顯示區和設置在所述顯示區上方的觸控區，其特征在于，所述顯示區上設置有陽極電極、顯示元件、陰極電極和絕緣層，所述顯示元件設置在所述陽極電極與所述陰極電極之間；所述超薄單基板顯示結構還包括跨橋電極、通孔以及設置在所述通孔中的導電元件，所述導電元件的第一端與所述觸控區的導電電極連接，所述導電元件的第二端與所述跨橋電極連接。

2.根據權利要求1所述的超薄單基板顯示結構，其特征在于，所述觸控區包括第一導電電極和第二導電電極，所述第一導電電極或所述第二導電電極上設置有兩個斷開連接的第一次級導電電極和第二次級導電電極，所述導電元件的第一端與所述第一導電電極或所述第二導電電極連接，所述第一次級導電電極通過所述跨橋電極、所述導電元件與所述第二次級導電電極連接。

3.根據權利要求2所述的超薄單基板顯示結構，其特征在于，位于所述第一導電電極或所述第二導電電極下方的兩側開設有兩個所述通孔，一個所述通孔設置在所述第一次級導電電極上，另一個所述通孔設置在所述第二次級導電電極上。

4.根據權利要求2所述的超薄單基板顯示結構，其特征在于，位于所述第一導電電極或所述第二導電電極的下方開設有所述通孔。

5.根據權利要求1所述的超薄單基板顯示結構，其特征在于，所述跨橋電極為所述顯示區邊緣的所述陰極電極；或所述跨橋電極為所述顯示區邊緣的所述陽極電極；或所述跨橋電極與所述顯示元件共用所述陽極電極。

6.根據權利要求1所述的超薄單基板顯示結構，其特征在于，所述陽極電極、所述陰極電極和所述導電電極均為ITO、FTO、PEDOT:PSS、金屬、石墨烯、碳納米管、導電液體中一種或多種的導電材料。

7.根據權利要求1所述的超薄單基板顯示結構，其特征在于，所述顯示元件為OLED、micro LED、mini LED、量子點LED中一種或多種的顯示器件。

8.一種超薄單基板顯示結構的透明導電膜制備方法，其特征在于，基于如權利要求1-7任意一項所述的超薄單基板顯示結構的透明導電膜制備方法包括以下步驟：

S1.在超薄單基板顯示結構的顯示區上涂抹一層納米銀電極，在所述納米銀電極的表面貼附一層圖形化的薄膜；

S2.采用刻蝕方法對所述薄膜進行部分刻蝕，得到部分刻蝕的導電區和未被刻蝕的絕緣區；

S3.采用刻蝕方法去除所述絕緣區中的所述薄膜，得到透明導電膜。

9.根據權利要求8所述的超薄單基板顯示結構的透明導電膜制備方法，其特征在于，在步驟S2中，采用刻蝕方法對所述薄膜進行部分刻蝕，得到部分刻蝕的導電區的步驟包括：

采用等離子體的刻蝕方法對所述薄膜進行部分刻蝕，其中，在離子體的刻蝕方法的氧化過程中的功率為100mw、流速為120sccm、轟擊時間5min；

在等離子體的刻蝕方法中對部分刻蝕的所述薄膜采用丙基醚去除所述薄膜的PMMA，得到所述導電區。

10.根據權利要求8所述的超薄單基板顯示結構的透明導電膜制備方法，其特征在于，在步驟S2和步驟S3中，所述刻蝕方法為plasma、溶液法刻蝕、UVO-Zone、高濕刻蝕、熱刻蝕、激光刻蝕中一種或多種的刻蝕方法。