[發(fā)明專利]鰭片高度的確定方法、裝置、系統(tǒng)、設(shè)備以及介質(zhì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110254915.5 | 申請日: | 2021-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN113066734B | 公開(公告)日: | 2022-08-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王健;毛宏坤;李承啟;楊一鳴 | 申請(專利權(quán))人: | 普迪飛半導體技術(shù)(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01B7/06;G01R27/08 |
| 代理公司: | 上海慧晗知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31343 | 代理人: | 李茂林;徐海晟 |
| 地址: | 200433 上海市楊*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高度 確定 方法 裝置 系統(tǒng) 設(shè)備 以及 介質(zhì) | ||
1.一種鰭片高度的確定方法,其特征在于,包括:
獲取第一柵極結(jié)構(gòu)的第一電阻信息,以及第二柵極結(jié)構(gòu)的第二電阻信息,所述第一柵極結(jié)構(gòu)設(shè)于對應(yīng)的隔離層與鰭片上,所述第二柵極結(jié)構(gòu)設(shè)于對應(yīng)的隔離層上;所述第一柵極結(jié)構(gòu)與所述第二柵極結(jié)構(gòu)的電阻率均為目標電阻率,且所述第一柵極結(jié)構(gòu)與所述第二柵極結(jié)構(gòu)相對于對應(yīng)隔離層的高度相同;
根據(jù)所述第一電阻信息與所述第二電阻信息,確定所述第一柵極結(jié)構(gòu)中鰭片的高度;
其中,所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括所述鰭片上的第一柵極部分與所述隔離層上的第二柵極部分;
根據(jù)所述第一電阻信息與所述第二電阻信息,確定所述第一柵極結(jié)構(gòu)中鰭片的高度,包括:
根據(jù)所述第一電阻信息、所述第二電阻信息、所述目標電阻率,以及已知尺寸信息,確定所述第一柵極結(jié)構(gòu)中鰭片的高度,所述已知尺寸信息表征了:所述第一柵極部分的長度與寬度,所述第二柵極部分的長度與寬度,以及所述第二柵極結(jié)構(gòu)的長度與寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭片高度的確定方法,其特征在于,根據(jù)所述第一電阻信息、所述第二電阻信息、所述目標電阻率,以及柵極已知尺寸,確定所述第一柵極結(jié)構(gòu)中鰭片的高度,包括:
根據(jù)所述第一電阻信息、所述第二電阻信息,以及所述已知尺寸信息,確定所述第一柵極部分的方阻;
根據(jù)所述第二電阻信息,以及所述第二柵極結(jié)構(gòu)的長度與寬度,確定所述第二柵極部分的方阻;
根據(jù)所述第一柵極部分的方阻與所述第二柵極部分的方阻,以及所述目標電阻率,確定所述第一柵極結(jié)構(gòu)中鰭片的高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鰭片高度的確定方法,其特征在于,所述第二柵極部分的方阻是根據(jù)以下公式確定的:
式中,
Rb表征了所述第二電阻信息;
R2表征了所述第二柵極部分的方阻;
Wb表征了所述第二柵極結(jié)構(gòu)的寬度;
CDb表征了所述第二柵極結(jié)構(gòu)的長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鰭片高度的確定方法,其特征在于,所述第一柵極結(jié)構(gòu)包括N個鰭片,其中N≥1,其中N≥1;
沿所述第一柵極結(jié)構(gòu)的寬度方向的第一個鰭片與第一測試點之間的距離為第一寬度,沿所述第一柵極結(jié)構(gòu)的寬度方向的第N個鰭片與第二測試點之間的距離也為所述第一寬度;
所述鰭片的寬度為第二寬度,任意兩個相鄰鰭片沿所述第一柵極結(jié)構(gòu)的寬度方向的間距也為第二寬度;
所述第一柵極部分的長度、第二柵極部分的長度以及第二柵極結(jié)構(gòu)的長度均為目標長度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鰭片高度的確定方法,其特征在于,所述第一柵極部分的方阻是根據(jù)以下公式確定的:
式中:
CD表征了所述目標長度;
Ra表征了所述第一電阻信息;
Rb表征了所述第二電阻信息;
R1表示所述第一柵極部分的方阻;
W1表征了所述第一寬度;
W2表征了所述第二寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鰭片高度的確定方法,其特征在于,根據(jù)所述第一柵極部分的方阻與所述第二柵極部分的方阻,以及所述目標電阻率,
確定所述第一柵極結(jié)構(gòu)中鰭片的高度,包括;
根據(jù)所述第一柵極部分的方阻與所述目標電阻率,確定所述第一柵極部分的高度;
根據(jù)所述第二柵極部分的方阻與所述目標電阻率,確定所述第二柵極部分的高度;
根據(jù)所述第一柵極部分的高度與所述第二柵極部分的高度,確定所述第一柵極結(jié)構(gòu)中鰭片的高度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鰭片高度的確定方法,其特征在于,所述第一柵極部分的高度是根據(jù)以下公式確定的:
式中:
ρ表征了所述目標電阻率;
h1表征了所述第一柵極部分的高度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





