[發明專利]一種基于TSV垂直開關的壓控振蕩器有效
| 申請號: | 202110254843.4 | 申請日: | 2021-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN113162549B | 公開(公告)日: | 2023-07-18 |
| 發明(設計)人: | 王鳳娟;文炳成;余寧梅;楊媛;朱樟明;尹湘坤 | 申請(專利權)人: | 西安理工大學 |
| 主分類號: | H03B5/12 | 分類號: | H03B5/12;H01L27/06 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人: | 羅笛 |
| 地址: | 710048 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 tsv 垂直 開關 壓控振蕩器 | ||
1.一種基于TSV垂直開關的壓控振蕩器,其特征在于,包括電源VDD,所述電源VDD通過導線并列電連接有基于TSV的惠斯通電橋電感器M1和基于TSV的惠斯通電橋電感器M2的輸入端,所述基于TSV的惠斯通電橋電感器M1的輸出端通過導線并列電連接有變容器C1的輸出端、TSV垂直開關MOS4的柵極、TSV垂直開關MOS3的漏極,所述基于TSV的惠斯通電橋電感器M2的輸出端通過導線并列電連接有變容器C2的輸出端、TSV垂直開關MOS3的柵極、TSV垂直開關MOS4的漏極,所述變容器C1和變容器C2的輸入端共同通過導線連接有電容控制電源Vctr3,所述TSV垂直開關MOS3的源極分別通過導線連接有TSV垂直開關MOS4的源極、TSV垂直開關MOS5的漏極相連,所述TSV垂直開關MOS5的柵極通過導線電連接有偏置電源Vb,所述TSV垂直開關MOS5的源極接地;
所述基于TSV的惠斯通電橋電感器M1和基于TSV的惠斯通電橋電感器M2結構相同,均包括10個TSV電感及1個TSV垂直開關MOS,基于TSV的惠斯通電橋電感器M1和基于TSV的惠斯通電橋電感器M2中的TSV垂直開關MOS分別記為TSV垂直開關MOS1和TSV垂直開關MOS2,其中TSV電感L1有a1、b1兩端口,TSV電感L2有a2、b2兩端口,TSV電感L3有a3、b3兩端口,TSV電感L4有a4、b4兩端口,TV電感L5有a5、b5兩端口,TSV電感L6有a6、b6兩端口,TSV電感L7有a7、b7兩端口,TSV電感L8有a8、b8兩端口,TSV電感L9有a9、b9兩端口,TSV電感L10有a10、b10兩端口,其中TSV電感L1的b1端口與TSV電感L2的b2端口相連接,TSV電感L2的a2端口與TSV電感L3的a3端口相連接,TSV電感L3的b3端口與TSV電感L4的b4端口相連接,TSV電感L4的被a4端口與TSV電感L5的a5端口相連接,TSV電感L5的b5端口與TSV電感L6的b6端口相連接,TSV電感L6的a6端口與TSV電感L7的a7端口相連接,TSV電感L7的b7端口與TSV電感L8的b8端口相連接,TSV電感L8的a8端口與TSV電感L9的a9端口相連接,TSV電感L9的b9端口與TSV電感L10的b10端口相連接,TSV電感L10的a10端口與TSV電感L1的a1端口相連接,TSV垂直開關MOS1的漏極與TSV電感L3的b3端口相連接,TSV垂直開關MOS1的源極與TSV電感L8的a8端口相連接,TSV垂直開關MOS1或TSV垂直開關MOS2的柵極與電感控制電源Vctr1相連,其中,TSV電感電感L1的a1端口與TSV電感L10的a10端口作為基于TSV的惠斯通電橋電感器的輸入端Lint1,TSV電感電感L5的b5端口與TSV電感電感L6的b6端口作為基于TSV的惠斯通電橋電感器的輸出端Lout1。
2.根據權利要求1所述的一種基于TSV垂直開關的壓控振蕩器,其特征在于,所述TSV垂直開關MOS3、TSV垂直開關MOS4以及TSV垂直開關MOS5結構相同,均包括P型的硅襯底(5),所述硅襯底(5)中間開設有通孔,所述通孔內從內向外依次設置有金屬柱(1)和介質層(2),所述金屬柱(1)一端穿過所述通孔漏出硅襯底(5)表面設置有端子A,所述端子A作為TSV垂直開關的柵極,所述硅襯底(5)內位于通孔兩端靠近介質層的一側均設置有n型參雜區(4),兩個所述n型參雜區(4)端面上設置有伸出所述硅襯底(5)的金屬層(3),兩個所述金屬層(3)上分別設置有端子B1、B2,所述端子B1、B2分別作為TSV垂直開關的源極與漏極。
3.根據權利要求2所述的一種基于TSV垂直開關的壓控振蕩器,其特征在于,所述硅襯底(5)上下端面還設置有二氧化硅層(6)。
4.根據權利要求1所述的一種基于TSV垂直開關的壓控振蕩器,其特征在于,記基于TSV的惠斯通電橋電感器M1和基于TSV的惠斯通電橋電感器M2的電壓分別為Vctr1、Vctr2:
若連接TSV垂直開關MOS1及TSV垂直開關MOS2的控制電壓Vctr1、Vctr2小于TSV垂直開關本身的閾值電壓時,開關斷開,此時基于TSV的惠斯通電橋電感器M1與基于TSV的惠斯通電橋電感器M2的總電感值均為Ltot1:
Ltot1=[(L0-ΔL)+(L0+ΔL)]||[(L0+ΔL)+(L0-ΔL)]=L0
上式中(L0-△L)等效為TSV電感L4與L5,L10與L9的串聯電感值,(L0+△L)等效為TSV電感L1與L2與L3以及L6與L7與L8的串聯電感值,L0為輸入端int到輸出端out的等效電感值;
若TSV垂直開關MOS1及TSV垂直開關MOS2的控制電壓Vctr1、Vctr2大于TSV垂直開關本身的閾值電壓時,開關導通,此時基于TSV的惠斯通電橋電感器M1與基于TSV的惠斯通電橋電感器M2的總電感值均為Ltot2:
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