[發明專利]一種適用于WLCSP芯片的封裝結構

在審

• 申請號: 202110254374.6
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN112928102A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 吉煒
• 申請（專利權）人: 無錫市乾野微納電子有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H05K1/11;H05K1/18
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 梁睦宇

1.一種適用于WLCSP芯片的封裝結構，其特征在于：包括第一導電部和第二導電部，所述第一導電部的正面的中部上設置有基島，在所述基島的范圍內至少設置有一個WLCSP芯片，所述第一導電部的邊緣連接有所述第二導電部，所述第二導電部與所述第一導電部成一夾角，所述第二導電部與所述第一導電部的正面的內角為90°-180°。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述第一導電部的正面還設置內凹的槽條，所述內凹的槽條繞所述基島周向設置。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于：所述第二導電部遠離所述第一導電部的一端設置有管腳，所有所述管腳在豎直方向上與所述第一導電部的正面的距離均相等，所述管腳在豎直方向上與所述第一導電部的正面的距離大于所述WLCSP芯片的高度。

4.根據權利要求3所述的封裝結構，其特征在于：所述第二導電部遠離所述第一導電部的一端的邊緣處還設置有內凹的臺階面，所述臺階面的朝向與所述第一導電部的背面的朝向相同。

5.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于：所述第一導電部和所述第二導電部的連接部分設置有若干貫穿孔。

6.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述WLCSP芯片的頂端面設置有D漏極，所述WLCSP芯的底端面設置有G基極和S源極，所述第一導電部的正面和所述WLCSP芯片的頂端面連接，所述WLCSP芯片的頂端面的D漏極和所述第一導電部、第二導電部電性連接。

7.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于：所述基島內設置有多個所述WLCSP芯片，多個所述WLCSP芯片之間串聯。

8.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于：所述基島內設置有多個所述WLCSP芯片，多個所述WLCSP芯片之間并聯。

9.根據權利要求5所述的封裝結構，其特征在于：所述基島的面積大于所述WLCSP芯片的頂端面在所述第一導電部的正面的投影面積。

10.根據權利要求5所述的封裝結構，其特征在于：所述WLCSP芯片的頂端面通過錫膏連接所述第一導電部。