[發明專利]一種對碲鎘汞芯片鈍化前的表面清洗方法

有效

• 申請號: 202110254064.4
• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN113113285B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 戴永喜;寧提;譚振;孫浩
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L31/09;H01L31/18
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 于金平

1.一種對碲鎘汞芯片鈍化前的表面清洗方法，其特征在于，包括：

將經過第一預設溶劑浸泡后的碲鎘汞芯片置于片托上，使所述碲鎘汞芯片的碲鎘汞材料面朝上；

控制第二預設溶液按照預設流量沖洗所述碲鎘汞芯片的表面，沖洗過程中控制沖洗轉速為200～300r/min，沖洗時間為10～15s；

用帶有所述第二預設溶液的毛刷刷洗所述碲鎘汞芯片表面，刷洗時，控制所述碲鎘汞芯片的轉速為800～1100r/min，所述預設溶劑劑的流量為0.4～0.5L/min；

依次用去離子水和乙醇溶液沖洗所述碲鎘汞芯片表面，以去除殘留物和水分；

所述第一預設溶劑為石油醚；

所述第二預設溶液為丙酮溶液；

所述預設流量為0.6～0.7L/min。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，用去離子水沖洗所述碲鎘汞芯片表面，包括：

用去離子水沖洗所述碲鎘汞芯片表面，沖洗時保持去離子水的水柱能沖洗到所述碲鎘汞芯片表面的正中間部分。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，

去離子水沖洗時，去離子水的流量為0.6～0.7L/min，所述碲鎘汞芯片的轉速為200～300r/min。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，用乙醇溶液沖洗所述碲鎘汞芯片表面，包括：

用乙醇溶液沖洗所述碲鎘汞芯片表面時，沖洗時保持乙醇溶液能沖洗到所述碲鎘汞芯片表面的正中間部分。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，

用乙醇溶液沖洗所述碲鎘汞芯片表面時，乙醇溶液的沖洗流量為0.6～0.7L/min，所述碲鎘汞芯片的轉速為200～300r/min。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

用去離子水和乙醇溶液沖洗所述碲鎘汞芯片表面的時間為60～95s。