[發(fā)明專利]一種結(jié)構(gòu)緊湊的毫米波寬帶匹配電路及功率放大電路

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• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN113014210A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戈勤;陶洪琪
• 申請（專利權(quán)）人: 中電國基南方集團有限公司
• 主分類號: H03F1/56
• 分類號: H03F1/56;H03F1/48
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 姜慧勤

1.一種結(jié)構(gòu)緊湊的毫米波寬帶匹配電路，其特征在于，該電路包括第一微帶線（1）、耦合線（3）、第二微帶線（2）、有損支路、第一偏置支路、第二偏置支路；所述第一微帶線（1）、耦合線（3）和第二微帶線（2）依次串聯(lián)，有損支路連接在耦合線（3）與第一微帶線（1）相連接的端子和設(shè)定毫米波寬帶匹配電路的基準電位的接地之間，第一偏置支路連接在第一微帶線（1）的輸出端子和第一偏置電壓源之間，第二偏置支路連接在耦合線（3）與第二微帶線（2）相連接的端子和第二偏置電壓源之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述結(jié)構(gòu)緊湊的毫米波寬帶匹配電路，其特征在于，所述有損支路包括第三微帶線（4）、電阻（R7）及第三電容（C8）；所述第三微帶線（4）的一端與耦合線（3）和第一微帶線（1）相連接的端子相連接，另一端依次串聯(lián)電阻（R7）和第三電容（C8）后，連接設(shè)定毫米波寬帶匹配電路的基準電位的接地；或者所述電阻（R7）的一端與耦合線（3）和第一微帶線（1）相連接的端子相連接，另一端依次串聯(lián)第三微帶線（4）和第三電容（C8）后，連接設(shè)定毫米波寬帶匹配電路的基準電位的接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述結(jié)構(gòu)緊湊的毫米波寬帶匹配電路，其特征在于，所述第一偏置支路包括第四微帶線（5）和第一電容（C9），所述第四微帶線（5）連接在第一微帶線（1）的輸出端子和第一偏置電壓源之間，第一電容（C9）連接在第四微帶線與第一偏置電壓源相連接的端子和設(shè)定毫米波寬帶匹配電路的基準電位的接地之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述結(jié)構(gòu)緊湊的毫米波寬帶匹配電路，其特征在于，所述第二偏置支路包括第五微帶線（6）和第二電容（C10），所述第五微帶線（6）連接在耦合線（3）與第二微帶線（2）相連接的端子和第二偏置電壓源之間，第二電容（C10）連接在第五微帶線與第二偏置電壓源相連接的端子和設(shè)定毫米波寬帶匹配電路的基準電位的接地之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述結(jié)構(gòu)緊湊的毫米波寬帶匹配電路，其特征在于，所述第三電容（C8）采用金屬-絕緣層-金屬電容。

6.一種功率放大電路，其特征在于，包括n-1個如權(quán)利要求1-5任一項所述結(jié)構(gòu)緊湊的毫米波寬帶匹配電路，該功率放大電路還包括輸入匹配電路、n個晶體管以及輸出匹配電路，n為大于等于2的正整數(shù)，n個晶體管依次串聯(lián)后，相鄰兩個晶體管之間再串聯(lián)一個毫米波寬帶匹配電路，且兩個晶體管中，后一個晶體管的柵極與毫米波寬帶匹配電路中第一微帶線（1）和第四微帶線（5）的共同連接點相連，前一個晶體管的漏極與第二微帶線（2）的輸入端子相連，所有晶體管的源極均連接地，第一個晶體管的柵極連接輸入匹配電路的輸出端子，最后一個晶體管的漏極連接輸出匹配電路的輸入端子；

相鄰兩個晶體管之間串聯(lián)的毫米波寬帶匹配電路，其第一偏置支路為后一個晶體管的柵極提供直流電，第二偏置支路為前一個晶體管的漏極提供直流電。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述功率放大電路，其特征在于，所述晶體管的物理結(jié)構(gòu)類型為結(jié)型場效應(yīng)晶體管、金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管、雙極結(jié)型晶體管或異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述功率放大電路，其特征在于，所述功率放大電路的實現(xiàn)形式為單片集成電路或混合集成電路。