[發明專利]一種顯示面板、薄膜晶體管及其制備方法

在審

• 申請號: 202110253417.9
• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN112909087A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 夏玉明;卓恩宗;余思慧
• 申請（專利權）人: 滁州惠科光電科技有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/49
• 分類號: H01L29/49;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張海燕

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：基板以及設于所述基板上的柵極、柵極絕緣層、溝道層、源極、漏極以及絕緣保護層；所述柵極絕緣層包括第一氮化硅層、設于所述第一氮化硅層上的第二氮化硅層以及設于所述第二氮化硅層上的第三氮化硅層，其中，所述第三氮化硅層位于所述溝道層與所述第二氮化硅層之間，且所述第三氮化硅層中的氮硅的濃度比例小于1。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二氮化硅層中的氮硅的濃度比例大于所述第三氮化硅層中的氮硅的濃度比例。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一氮化硅層中的氮硅的濃度比例大于所述第二氮化硅層中的氮硅的濃度比例。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第三氮化硅層中的氮硅的濃度比例為0.8-0.9。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二氮化硅層中的氮硅的濃度比例為0.95-1.05。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一氮化硅層中的氮硅的濃度比例為1.15-1.25。

7.如權利要求1-6任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述絕緣保護層與所述溝道層之間的界面處的氮硅的濃度比例小于1。

8.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在基板上沉積形成柵極；

采用化學氣相沉積法分別以第一沉積氣體濃度、第二沉積氣體濃度以及第三沉積氣體濃度在所述柵極以及所述基板上連續沉積第一氮化硅層、第二氮化硅層以及第三氮化硅層，以形成柵極絕緣層，其中，所述第三氮化硅層中的氮硅的濃度比例小于1；

在所述柵極絕緣層上形成溝道層；

在所述溝道層上形成源極、漏極以及絕緣保護層。

9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于，采用化學氣相沉積法制備所述絕緣保護層，使所述絕緣保護層與所述溝道層之間的界面處的氮硅的濃度比例小于1。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-7任一項所述的薄膜晶體管。