[發明專利]NOR型存儲器件及其制造方法及包括存儲器件的電子設備

有效

• 申請號: 202110253001.7
• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN112909012B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H10B43/10
• 分類號: H10B43/10;H10B43/30;H10B43/20;H10B51/10;H10B51/30;H10B51/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種NOR型存儲器件，包括：

在襯底上豎直延伸的柵堆疊，所述柵堆疊包括柵導體層和存儲功能層；

圍繞所述柵堆疊的外周的有源區，所述有源區包括相對于所述襯底分別處于不同高度的第一源/漏區和第二源/漏區以及在豎直方向上處于所述第一源/漏區和所述第二源/漏區之間的第一溝道區，所述有源區還包括相對于所述襯底分別處于不同高度的第三源/漏區和第四源/漏區以及在豎直方向上處于所述第三源/漏區和所述第四源/漏區之間的第二溝道區，其中，所述存儲功能層介于所述柵導體層與所述有源區之間，在所述柵堆疊與所述第一源/漏區、所述第一溝道區和所述第二源/漏區相交之處限定第一存儲單元，在所述柵堆疊與所述第三源/漏區、所述第二溝道區和所述第四源/漏區相交之處限定第二存儲單元，其中，所述第一存儲單元與所述第二存儲單元在豎直方向上相鄰；

分別從所述第一源/漏區、所述第二源/漏區、所述第三源/漏區和所述第四源/漏區橫向延伸的第一互連層、第二互連層、第三互連層和第四互連層，其中，所述第二互連層與所述第三互連層在豎直方向上相鄰；以及

相對于所述襯底豎直延伸以穿過所述第一互連層、所述第二互連層、所述第三互連層和所述第四互連層的源極線接觸部，

其中，所述源極線接觸部與所述第一互連層和所述第二互連層之一電連接，且與所述第三互連層和所述第四互連層之一電連接，

其中在所述源極線接觸部處，所述第一互連層和所述第四互連層相對于所述第二互連層和所述第三互連層在橫向上凹進，

其中，所述源極線接觸部與所述第二互連層和所述第三互連相接觸，

其中，所述NOR型存儲器件還包括設置于所述源極線接觸部與所述第一互連層和所述第四互連層各自的側壁之間的側壁隔離層。

2.根據權利要求1所述的NOR型存儲器件，

其中，所述有源區形成在器件層中，所述器件層具有豎直方向上的摻雜分布，以限定所述第一源/漏區、所述第一溝道區、所述第二源/漏區、所述第三源/漏區、所述第二溝道區和所述第四源/漏區，

其中，所述器件層橫向延伸而形成所述第一互連層、所述第二互連層、所述第三互連層和所述第四互連層，

其中，所述第二源/漏區和所述第三源/漏區一體，所述第二互連層和所述第三互連層一體。

3.?根據權利要求2所述的NOR型存儲器件，包括：

多個所述有源區；以及

介于在豎直方向上相鄰的所述有源區之間的隔離層。

4.根據權利要求2所述的NOR型存儲器件，其中，所述源極線接觸部還與所述器件層中與所述第一溝道區和所述第二溝道區相對應的區域相接觸。

5.根據權利要求4所述的NOR型存儲器件，還包括：所述器件層與所述第一溝道區和所述第二溝道區相對應的區域中的一部分的橫向表面上的高摻雜區，所述高摻雜區與所述側壁隔離層相鄰，且相比于所述器件層與所述第一溝道區和所述第二溝道區相對應的區域中的至少其余一部分的摻雜濃度高。

6.根據權利要求1所述的NOR型存儲器件，

其中，所述有源區分別形成在豎直方向上相鄰的第一器件層和第二器件層中，所述第一器件層具有豎直方向上的摻雜分布，以限定所述第一源/漏區、所述第一溝道區和所述第二源/漏區，所述第二器件層具有豎直方向上的摻雜分布，以限定所述第三源/漏區、所述第二溝道區和所述第四源/漏區，

其中，所述第一器件層橫向延伸而形成所述第一互連層和所述第二互連層，所述第二器件層橫向延伸而形成所述第三互連層和所述第四互連層。

7.?根據權利要求6所述的NOR型存儲器件，還包括：

介于所述第一器件層與所述第二器件層之間的第一隔離層；以及

設于所述第一器件層與所述第一隔離層相對的另一側以及所述第二器件層與所述第一隔離層相對的另一側的第二隔離層，

其中，所述第一隔離層與所述第二隔離層具有不同的厚度。