[發(fā)明專利]一種SiC-MOSFET模塊的驅動方法

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• 申請日: 2021-03-09
• 公開（公告）號: CN113037261A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設計）人: 白欣嬌;崔素杭;李帥;張策;李婷婷;袁鳳坡;曹世鯤;敖金平
• 申請（專利權）人: 同輝電子科技股份有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 石家莊元匯專利代理事務所(特殊普通合伙) 13115
• 代理人: 張梅申

1.一種SiC-MOSFET模塊的驅動方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、檢測采樣，使用電壓檢測設備對電阻兩端的實時電壓進行檢測，根據實時電壓對柵極驅動電路進行調節(jié)；再將實時電壓V-s分別與參考電壓V-ref、V-shut1或V-shut2進行依次比較，將比較結果輸入至信息發(fā)送裝置中；

步驟二、存儲計算，使用芯片對含有比較結果的信息內容進行存儲，再對差異值進行計算；根據差異值計算結果，使存儲模塊與計算模塊進行對接，完成數據交換；

步驟三、互補判斷，在系統正常運行的情況下，使用檢測設備對控制信號進行互補判斷，檢測出兩個SiC-Mosfet的外部控制信號是否存在取反；

步驟四、時序判斷，當檢測設備檢測出兩個SiC-Mosfet的外部控制信號存在取反后，則進入開關時序判斷的步驟；判斷是否先開通內管SiC-Mosfet，再開通外管SiC-Mosfet，如果完全滿足通斷時序控制的情況，下一步將外部控制信號輸出；

步驟五、芯片控制，使用時序控制芯片對信號輸出進行控制，時序控制芯片內部設置有電壓處理模塊和電流處理模塊，電流處理模塊作為時序控制芯片的輸入部分，電壓處理模塊作為時序控制芯片的輸出部分；

步驟六、故障判斷，當芯片控制出現故障時，根據SiC-Mosfet顯示出的狀態(tài)信息，將故障分成短路故障、超負荷運行故障、電路來源故障和信號輸出故障幾類；根據故障類別的不同，再進行關斷等級判斷；

步驟七、脈沖生成，根據關斷等級信息、外部控制信號和故障判斷信息，使用生成器生成脈沖；使生成的脈沖對控制信號進行通斷，進而控制各SiC-Mosfet的通斷。

2.根據權利要求1所述的一種SiC-MOSFET模塊的驅動方法，其特征在于：在所述步驟一中，柵極驅動電路位于主電路和控制電路之間，對控制電路的信號進行放大。

3.根據權利要求1所述的一種SiC-MOSFET模塊的驅動方法，其特征在于：在所述步驟二中，數據交換時，多個數據終端設備中的任意兩個終端設備建立起數據通信和臨時互連通路的狀態(tài)，實現電路交換和混合交換。

4.根據權利要求1所述的一種SiC-MOSFET模塊的驅動方法，其特征在于：在所述步驟三中，取反時，先將初始數值轉換成二進制數，再對二進制數的每一位進行運算，得到的是最終結果的補碼，要轉換為最終結果的原碼則需再次取補碼。

5.根據權利要求1所述的一種SiC-MOSFET模塊的驅動方法，其特征在于：在所述步驟四中，時序判斷電路中的輸出和下一狀態(tài)是輸入和當前狀態(tài)的函數，再對時序電路進行分析，得到關于輸入、輸出和狀態(tài)三者的時序分析結果。

6.根據權利要求1所述的一種SiC-MOSFET模塊的驅動方法，其特征在于：在所述步驟五中，控制芯片中設置有多核處理器，使用多核處理器使得低功率邏輯電路可以在快速開關速度的條件下進行應用。

7.根據權利要求1所述的一種SiC-MOSFET模塊的驅動方法，其特征在于：在所述步驟六中，短路故障分為電路短路故障、用電短路故障和三相系統短路故障三種，根據短路故障種類的不同，使用不同的檢修設備進行檢修。

8.根據權利要求1所述的一種SiC-MOSFET模塊的驅動方法，其特征在于：在所述步驟七中，脈沖信號為數字信號，數字信號在短持續(xù)時間內產生突變，隨后又迅速返回其初始值。