[發(fā)明專利]顯示面板、制作方法及顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110251300.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113035922A | 公開(公告)日: | 2021-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱大勇;張偉;王凌飛;鄭云蛟;李慧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;重慶京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭棟梁 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,包括:襯底及設(shè)置在所述襯底上的PLN層,所述PLN層上設(shè)有綁定區(qū)和顯示區(qū),所述綁定區(qū)用于設(shè)置引腳,所述顯示區(qū)用于設(shè)置發(fā)光元件,所述引腳包括功能導(dǎo)電塊及虛擬導(dǎo)電塊,其特征在于,
所述虛擬導(dǎo)電塊上設(shè)有凹陷區(qū),所述虛擬導(dǎo)電塊及所述PLN層上設(shè)置有無機(jī)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述凹陷區(qū)側(cè)面設(shè)置有突出部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述突出部為條形結(jié)構(gòu)和/或圓形結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的顯示面板,其特征在于,所述虛擬導(dǎo)電塊包括多層金屬層,所述突出部形成在至少一層金屬層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述虛擬導(dǎo)電塊包括疊層設(shè)置在所述PLN層上的第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層,所述突出部形成在所述第一金屬層及所述第三金屬層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3、5任一項(xiàng)所述的顯示面板,其特征在于,所述凹陷區(qū)設(shè)置在所述虛擬導(dǎo)電塊中間位置,或者均勻分布在所述虛擬導(dǎo)電塊上。
7.一種顯示面板制作方法,其特征在于,所述方法包括:
在襯底上沉積PLN層以及引腳,所述引腳包括功能導(dǎo)電塊及虛擬導(dǎo)電塊;
對(duì)所述虛擬導(dǎo)電塊進(jìn)行刻蝕處理,形成具有凹陷區(qū)的圖案化膜層;
在所述虛擬導(dǎo)電塊及所述PLN層上沉積無機(jī)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板制作方法,其特征在于,所述虛擬導(dǎo)電塊包括設(shè)置在頂層及底層的第一金屬層及設(shè)置在所述第一金屬層之間的第二金屬層,所述方法還包括:
通過側(cè)刻蝕對(duì)所述凹陷區(qū)側(cè)面進(jìn)行刻蝕,使得凹陷區(qū)側(cè)面位于頂層及底層的第一金屬層突出。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板制作方法,其特征在于,所述對(duì)所述虛擬導(dǎo)電塊進(jìn)行刻蝕處理,形成具有凹陷區(qū)的圖案化膜層包括:
對(duì)所述虛擬導(dǎo)電塊進(jìn)行刻蝕處理,形成凹陷區(qū),使得所述凹陷區(qū)側(cè)面形成條形和/或圓形凸起結(jié)構(gòu)。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利1-6任一項(xiàng)所述的顯示面板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團(tuán)股份有限公司;重慶京東方顯示技術(shù)有限公司,未經(jīng)京東方科技集團(tuán)股份有限公司;重慶京東方顯示技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110251300.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





