[發明專利]一種應力調節微米LED

在審

• 申請號: 202110251011.7
• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN112909142A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 魏偉;苗中正;張洋
• 申請（專利權）人: 鹽城師范學院
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種應力調節微米LED，其特征在于：所述LED包括：

襯底；

正電極結構部件；

應力調節部件:應力調節部件為環狀中孔部件或側面帶有缺口的環狀中孔部件，應力調節部件位于襯底的上端，應力調節部件環繞正電極結構部件，應力調節部件的熱膨脹系數與正電極結構部件中的半導體材料（P型半導體材料，有源區，N型半導體材料，緩沖層）的平均熱膨脹系數不同，負電極結構部件和正電極結構部件與兩者連接通道中的半導體材料（P型半導體材料，有源區，N型半導體材料，緩沖層）不能沉積在應力調節部件的頂端，應力調節部件對有源區發出的光為透明的，應力調節部件為絕緣材料；

負電極結構部件；

負電極結構部件與正電極結構部件連接通道。

2.根據權利要求1所述的應力調節微米LED，其特征在于：正電極結構部件面積小于等于10000μm²。

3.根據權利要求1所述的一種應力調節微米LED，其特征在于：LED襯底為導電襯底或不導電襯底；導電襯底為硅襯底或碳化硅襯底，不導電襯底為藍寶石襯底或氧化鎵襯底。

4.根據權利要求1所述的一種應力調節微米LED，其特征在于：正電極結構部件至少包括P型金屬電極，P型半導體材料，有源區，N型半導體材料，緩沖層。

5.根據權利要求1所述的一種應力調節微米LED，其特征在于：當在100℃至1500℃范圍內的溫度時，應力調節部件的熱膨脹系數與正電極結構部件中的半導體材料（P型半導體材料，有源區，N型半導體材料，緩沖層）的平均熱膨脹系數不同，應力調節部件對有源區發出的光透過率大于等于70%。

6.根據權利要求1所述的一種應力調節微米LED，其特征在于：當襯底為導電襯底時，負電極結構部件、應力調節部件、正電極結構部件三者位于襯底的同一側，或，負電極結構部件位于襯底的一側、應力調節部件和正電極結構部件兩者位于襯底的另一側；當襯底為不導電襯底時，負電極結構部件、應力調節部件、正電極結構部件三者位于襯底的同一側；當負電極結構部件、應力調節部件、正電極結構部件三者位于襯底的同一側時，負電極結構部件位于應力調節部件和正電極結構部件以外的區域。

7.根據權利要求6所述的一種應力調節微米LED，其特征在于：當負電極結構部件、應力調節部件、正電極結構部件三者位于襯底的同一側時，為傳統結構應力調節微米LED芯片，負電極結構部件包括N型金屬電極，N型半導體材料，緩沖層，此時應力調節部件為側面帶有缺口的環狀中孔部件，負電極結構部件與正電極結構部件連接通道為側面缺口中的N型半導體材料和緩沖層；當負電極結構部件位于襯底的一側、應力調節部件和正電極結構部件兩者位于襯底的另一側時，此時應力調節部件為環狀中孔部件，為垂直結構應力調節微米LED芯片，負電極結構部件為N型金屬電極，負電極結構部件與正電極結構部件連接通道為導電襯底。