[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110250478.X
• 申請(qǐng)日: 2021-03-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114203712A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 渡會(huì)亜?dòng)衙?/a>;巖崎太一;松浦修武;廣津佑;松本壯太
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;G11C16/08
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包含襯底(20)、源極線(SL)、多個(gè)字線(WL)、柱(MP)、外周導(dǎo)電體層(62)、下層導(dǎo)電體層(73)、及第1接點(diǎn)(C3L)。源極線(SL)在核心區(qū)域(MA)中設(shè)置在襯底(20)的上方。柱(MP)的底部到達(dá)源極線(SL)，與多個(gè)字線(WL)的交叉部分分別作為存儲(chǔ)單元發(fā)揮功能。外周導(dǎo)電體層(62)在第1區(qū)域(WR)中包含在具備源極線(SL)的第1層中，且以包圍核心區(qū)域(MA)的方式設(shè)置。下層導(dǎo)電體層(73)在第1區(qū)域(WR)中包含在第2層(D2)中。第1接點(diǎn)(C3L)在第1區(qū)域(WR)以包圍核心區(qū)域(MA)的方式設(shè)置在下層導(dǎo)電體層(73)之上，上端包含在第1層中，且與外周導(dǎo)電體層(62)電連接。

[相關(guān)申請(qǐng)]

本申請(qǐng)享有以日本專利申請(qǐng)2020-156717號(hào)(申請(qǐng)日：2020年9月17日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包含基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式主要涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)

已知有一種能夠非易失地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的NAND(not and，與非)型閃速存儲(chǔ)器。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式提供一種能夠提升良率的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的襯底具有核心區(qū)域及第1區(qū)域。第1區(qū)域以包圍核心區(qū)域外周的方式設(shè)置。源極線在核心區(qū)域設(shè)置在襯底的上方。多個(gè)字線在核心區(qū)域設(shè)置在源極線的上方。多個(gè)字線在與襯底的表面交叉的第1方向上相互分開(kāi)地設(shè)置。柱在核心區(qū)域中在第1方向上延伸。柱的底部到達(dá)源極線。柱與字線的交叉部分作為存儲(chǔ)單元發(fā)揮功能。外周導(dǎo)電體層在第1區(qū)域以包圍核心區(qū)域的方式設(shè)置。外周導(dǎo)電體層包含在具備源極線的第1層中。下層導(dǎo)電體層設(shè)置在第1區(qū)域。下層導(dǎo)電體層包含在第1層與襯底之間的第2層中。第1接點(diǎn)在第1區(qū)域以包圍核心區(qū)域的方式設(shè)置在下層導(dǎo)電體層之上。第1接點(diǎn)的上端包含在第1層中。第1接點(diǎn)與外周導(dǎo)電體層電連接。

附圖說(shuō)明

圖1是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的整體構(gòu)成的一例的框圖。

圖2是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置所具備的存儲(chǔ)單元陣列的電路構(gòu)成的一例的電路圖。

圖3是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的平面布局的一例的俯視圖。

圖4是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的核心區(qū)域中的平面布局的一例的俯視圖。

圖5是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)器區(qū)域中的平面布局的一例的俯視圖。

圖6是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)器區(qū)域中的截面構(gòu)造的一例且沿著圖5的VI-VI線的剖視圖。

圖7是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的存儲(chǔ)柱的截面構(gòu)造的一例且沿著圖6的VII-VII線的剖視圖。

圖8是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的引出區(qū)域及接點(diǎn)區(qū)域中的平面布局的一例的俯視圖。

圖9是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的引出區(qū)域及接點(diǎn)區(qū)域中的截面構(gòu)造的一例且沿著圖8的IX-IX線的剖視圖。

圖10是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的密封部件及導(dǎo)電部的平面布局的一例的俯視圖。

圖11是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的接點(diǎn)區(qū)域及壁區(qū)域中的截面構(gòu)造的一例且沿著圖10的XI-XI線的剖視圖。

圖12是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的壁區(qū)域中的截面構(gòu)造的一例且沿著圖10的XII-XII線的剖視圖。

圖13是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法的一例的流程圖。

圖14是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造中途的截面構(gòu)造的一例的剖視圖。