[發(fā)明專利]倒裝Mini LED芯片及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110250074.0 | 申請日： | 2021-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN113345986A | 公開（公告）日： | 2021-09-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王洪峰;黃文光;張振 | 申請（專利權(quán)）人： | 聚燦光電科技（宿遷）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈曉敏 |
| 地址： | 223800 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 倒裝 mini led 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一種倒裝Mini LED芯片，其依次包括襯底、N型半導(dǎo)體層、多量子阱層、和P型半導(dǎo)體層，其特征在于，
所述P型半導(dǎo)體層包括相互間隔設(shè)置的第一P型半導(dǎo)體區(qū)和第二P型半導(dǎo)體區(qū)，所述多量子阱層包括分別位于所述第一P型半導(dǎo)體區(qū)和所述第二P型半導(dǎo)體區(qū)下方的第一多量子阱區(qū)和第二多量子阱區(qū)；
所述第一P型半導(dǎo)體區(qū)上設(shè)有與其電性連接的第一擴(kuò)展電極，所述第二P型半導(dǎo)體區(qū)上設(shè)有第二擴(kuò)展電極，所述第二擴(kuò)展電極延伸至所述N型半導(dǎo)體層，與其電性連接；
所述第一擴(kuò)展電極和所述第二擴(kuò)展電極上分別設(shè)有與其電性連接的第一焊盤電極和第二焊盤電極，所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極上端面平齊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝Mini LED芯片，其特征在于，所述第一P型半導(dǎo)體區(qū)和所述第二P型半導(dǎo)體區(qū)、所述第一多量子阱區(qū)和所述第二多量子阱區(qū)、所述第一擴(kuò)展電極和所述第二擴(kuò)展電極、所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極的厚度分別一致。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的倒裝Mini LED芯片，其特征在于，所述倒裝Mini LED芯片表面及側(cè)面還設(shè)有一層鈍化層，所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極設(shè)于所述鈍化層之上，分別通過所述鈍化層內(nèi)的通孔電性連接于所述第一擴(kuò)展電極和所述第二擴(kuò)展電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的倒裝Mini LED芯片，其特征在于，所述鈍化層為SiO2層，或?yàn)镾i3N4層，或?yàn)镾iO2層和Ti3O5層交替堆疊設(shè)置的布拉格反射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的倒裝Mini LED芯片，其特征在于，所述N型半導(dǎo)體層側(cè)邊及中心位置暴露所述襯底，所述鈍化層覆蓋所述N型半導(dǎo)體層側(cè)邊所暴露的部分所述襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝Mini LED芯片，其特征在于，所述第一擴(kuò)展電極和所述第二擴(kuò)展電極為Cr、Ti、Al、Ni、Pt、Au或以上金屬材料中的兩種或多種組成的合金，所述第一擴(kuò)展電極和所述第二擴(kuò)展電極的厚度為1nm-3000nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝Mini LED芯片，其特征在于，所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極為Cr、Ti、Al、Ni、Pt、Au、Sn或以上金屬材料中的兩種或多種組成的合金，所述第一焊盤電極和所述第二焊盤電極的厚度為1nm-5000nm。
8.一種倒裝Mini LED芯片的制造方法，其特征在于，包括步驟：
提供一襯底，在所述襯底上依次生長N型半導(dǎo)體層、多量子阱層和P型半導(dǎo)體層；
刻蝕所述P型半導(dǎo)體層和所述多量子阱層，形成間隔設(shè)置的第一多量子阱區(qū)和第二多量子阱區(qū)以及分別位于其上的第一P型半導(dǎo)體區(qū)和第二P型半導(dǎo)體區(qū)；
分別在所述第一P型半導(dǎo)體區(qū)和所述第二P型半導(dǎo)體區(qū)上設(shè)置第一擴(kuò)展電極和第二擴(kuò)展電極，所述第一擴(kuò)展電極電性連接于所述第一P型半導(dǎo)體區(qū)，所述第二擴(kuò)展電極延伸至所述N型半導(dǎo)體層，與其電性連接；
分別在所述第一擴(kuò)展電極和所述第二擴(kuò)展電極上形成與其電性連接的第一焊盤電極和第二焊盤電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的倒裝Mini LED芯片的制造方法，其特征在于，在“分別在所述第一擴(kuò)展電極和所述第二擴(kuò)展電極上形成與其電性連接的第一焊盤電極和第二焊盤電極”之前還包括步驟：
在所述倒裝Mini LED芯片表面及側(cè)面形成一層鈍化層。
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