[發明專利]一種RS-485收發器用高阻態控制電路

有效

• 申請號: 202110249942.3
• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN112994732B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 顧永興
• 申請（專利權）人: 蘇州靈天微半導體科技有限公司
• 主分類號: H04B1/40
• 分類號: H04B1/40;H04L12/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種RS-485收發器用高阻態控制電路，包括RS-485輸出驅動模塊(1)和高阻態控制模塊(2)；其特征在于：所述RS-485輸出驅動模塊(1)的總線輸出級電性連接有NPN三極管(31)和PNP三極管(32)，所述高阻態控制模塊(2)用于控制在RS-485輸出驅動模塊(1)使能關閉時，使得NPN三極管(31)和PNP三極管(32)均截止；所述NPN三極管(31)的發射極和PNP三極管(32)的發射極分別與RS-485輸出驅動模塊(1)的A/B端口電性連接，NPN三極管(31)的集電極接電源，PNP三極管(32)的集電極接地；所述高阻態控制模塊(2)用于控制在RS-485輸出驅動模塊(1)使能關閉時，使得NPN三極管(31)的基極接最低電位和PNP三極管(32)的基極接最高電位；所述高阻態控制模塊(2)包括反相器(4)、第一PMOS管(5)、第一NMOS管(6)、第二PMOS管(7)、第三PMOS管(8)、第四PMOS管(9)、第五PMOS管(10)和第二NMOS管(11)；所述RS-485輸出驅動模塊(1)的驅動使能信號分別與反相器(4)的輸入端、第一NMOS管(6)的柵極和第二PMOS管(7)的柵極電性連接；所述反相器(4)的輸出端與第一PMOS管(5)的柵極電性連接；所述第一PMOS管(5)的源極接電源，第一PMOS管(5)的漏極分別與第二NMOS管(11)的漏極、第三PMOS管(8)的柵極、第四PMOS管(9)的柵極和第四PMOS管(9)的漏極電性連接；所述第二NMOS管(11)的源極接地，第二NMOS管(11)的柵極與RS-485輸出驅動模塊(1)的A/B端口電性連接；所述第四PMOS管(9)的源極與NPN三極管(31)的基極電性連接；所述第一NMOS管(6)的源極接地，第一NMOS管(6)的漏極與第二PMOS管(7)的漏極電性連接，第二PMOS管(7)的源極與第五PMOS管(10)的漏極和第三PMOS管(8)的源極電性連接；所述第五PMOS管(10)的源極接電源，第五PMOS管(10)的柵極與RS-485輸出驅動模塊(1)的A/B端口電性連接；所述第三PMOS管(8)的漏極與PNP三極管(32)的基極電性連接；所述高阻態控制模塊(2)還包括第六PMOS管(13)；所述第六PMOS管(13)的柵極接電源，第六PMOS管(13)的源極與第三PMOS管(8)的源極電性連接，第六PMOS管(13)的漏極與RS-485輸出驅動模塊(1)的A/B端口電性連接；所述高阻態控制模塊(2)還包括二極管(12)和第七PMOS管(14)；所述第七PMOS管(14)的源極與第二NMOS管(11)的漏極電性連接且二極管(12)連接在第七PMOS管(14)的源極與第二NMOS管(11)的漏極之間，二極管(12)用于避免第二NMOS管(11)的漏端與襯底之間的寄生二極管鉗位；所述第七PMOS管(14)的漏極和柵極均與RS-485輸出驅動模塊(1)的A/B端口電性連接；所述第一PMOS管(5)、第二PMOS管(7)、第三PMOS管(8)、第四PMOS管(9)、第五PMOS管(10)、第六PMOS管(13)和第七PMOS管(14)的N阱浮空，阻斷襯底與阱之間寄生二極管的鉗位。

2.根據權利要求1所述的一種RS-485收發器用高阻態控制電路，其特征在于：所述第五PMOS管(10)的柵極與RS-485輸出驅動模塊(1)的A/B端口電性連接之間、第二NMOS管(11)的柵極與RS-485輸出驅動模塊(1)的A/B端口電性連接之間、第七PMOS管(14)的柵極與RS-485輸出驅動模塊(1)的A/B端口電性連接之間和第六PMOS管(13)的柵極與電源之間分別連接有電阻。