[發明專利]沉積方法

在審

• 申請號: 202110249843.5
• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN113512705A
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發明（設計）人: S·海默爾;A·托馬斯;S·伯吉斯
• 申請（專利權）人: SPTS科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16;H03H3/02;H03H9/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 章蕾

1.一種在諧振器裝置的制造中在襯底上濺鍍沉積金屬層的方法，其中所述金屬層由選自鉬Mo、鎢W、鈦Ti、鉭Ta、鉑Pt或釕Ru的金屬組成，所述方法包括以下步驟：

提供包括腔室、安置于所述腔室內的襯底支撐件、由金屬材料制成的靶標及等離子體產生裝置的磁控濺鍍設備，其中所述襯底支撐件與所述靶標分離開10cm或更小的距離；

將所述襯底支撐于所述襯底支撐件上；

執行DC磁控濺鍍步驟，其包括將所述金屬材料從所述靶標濺鍍到所述襯底上以便在所述襯底上形成金屬層，其中在所述DC磁控濺鍍步驟期間，所述腔室的惰性氣體具有至少6毫托的壓力，所述靶標被供應具有至少6W/cm²的功率密度的功率，且所述襯底具有200到600℃范圍內的溫度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底是硅襯底。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中供應到所述靶標的所述功率具有至少8W/cm²、任選地至少10W/cm²、任選地至少12W/cm²、任選地至少14W/cm²或任選地至少16W/cm²的功率密度。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中供應到所述靶標的所述功率具有小于約24W/cm²、任選地小于約22W/cm²、任選地小于約20W/cm²、任選地小于約18W/cm²或任選地小于約16W/cm²的功率密度。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中在所述DC磁控濺鍍步驟期間，所述腔室具有至少7毫托、任選地至少8毫托、任選地至少9毫托、任選地至少10毫托的壓力。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其中在所述DC磁控濺鍍步驟期間，所述腔室具有約20毫托或更小、任選地約15毫托或更小、任選地約12毫托或更小、任選地約10毫托或更小或任選地約8毫托或更小的壓力。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述DC磁控濺鍍步驟在300到500℃的范圍內或任選地約400℃的溫度下執行。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其中在所述DC磁控濺鍍步驟期間，將偏壓功率供應到所述襯底支撐件。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述偏壓功率是RF偏壓功率。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述偏壓功率具有10到600W范圍內、任選地50到500W、任選地100到400W或任選地200到300W的功率。

11.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述DC磁控濺鍍步驟包括使用由所述惰性氣體形成的等離子體從所述靶標濺鍍所述金屬材料，任選地，所述惰性氣體是氬氣(Ar)、氪氣(Kr)、氙氣(Xe)或其混合物。

12.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述金屬層具有約300nm或更小、任選地約250nm或更小、任選地約200nm或更小或任選地約150nm或更小的厚度。

13.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述襯底支撐件與所述靶標分離開約75mm或更小的距離。

14.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述諧振器裝置是聲波裝置，例如體聲波BAW裝置。