[發明專利]一種新型源極肖特基接觸IGBT結構在審
| 申請號： | 202110249754.0 | 申請日： | 2021-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN113013239A | 公開（公告）日： | 2021-06-22 |
| 發明（設計）人： | 李平;林凡;廖永波;馮軻;李垚森;聶瑞宏;彭辰曦 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/47 | 分類號： | H01L29/47;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/739 |
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| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 源極肖特基 接觸 igbt 結構 | ||
1.一種新型源極肖特基接觸IGBT結構，包括：集電極金屬區(109)，與所述集電極金屬區(109)上表面接觸的P+型集電區(108)，與所述P+型集電區(108)上表面接觸的N+型緩沖層(107)，與所述N+型緩沖層(107)上表面接觸的N-型漂移區(106)，與所述N-型漂移區(106)上表面接觸的P型溝道區(105)，與所述P型溝道區(105)上表面接觸的肖特基接觸金屬源區(103)。柵電極(102)為環形結構，將所述P型溝道區(105)和部分肖特基接觸金屬源區(103)包圍，且所述柵電極(102)的下表面低于所述P型溝道區(105)與N-型漂移區(106)的界面。柵電極(102)與相鄰功能層之間設置有一層柵介質層(101)作為隔離。
2.根據權利要求1所述的一種新型源極肖特基接觸IGBT結構，其特征在于，肖特基接觸金屬源區(103)與P型溝道區(105)之間有異質結半導體區(104)。
3.根據權利要求1所述的一種新型源極肖特基接觸IGBT結構，其特征在于，所述柵介質層(101)的材料為SiO2、Si3N4、HfO2、Al2O3或上述材料的組合。
4.根據權利要求1所述的一種新型源極肖特基接觸IGBT結構，其特征在于，所述異質結半導體區(104)的材料為贗晶或多晶SiGe或多晶鍺或多晶InP或多晶HgCdTe，P型溝道區(105)的材料為硅。
5.根據權利要求1所述的一種新型源極肖特基接觸IGBT結構，其特征在于，所述P型溝道區(105)的材料為SiC或GaN，異質結半導體區(104)的材料為Si或Ge。
6.根據權利要求1所述的一種新型源極肖特基接觸IGBT結構，其特征在于，所述肖特基接觸金屬源區(103)的材料為金屬或者金屬硅化物包括Co，Ir，Ni，Ti，W和Er。
7.根據權利要求2所述的一種新型源極肖特基接觸IGBT結構，其特征在于，所述異質結半導體區(104)的厚度為1～5nm。
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