[發明專利]一種陶瓷封裝基座

有效

• 申請號: 202110249306.0
• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN113161297B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 李鋼;邱基華
• 申請（專利權）人: 潮州三環(集團)股份有限公司
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L23/15;H01L23/373
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 林德強

1.一種陶瓷封裝基座，其特征在于：包括絕緣基體和鎢導電層；

所述鎢導電層設置于所述絕緣基體的至少一個表面上；

所述絕緣基體由氮化鋁陶瓷形成；

所述鎢導電層包括W、Al和M；所述M表示稀土元素；

所述鎢導電層中，按W、Al和M的質量百分比為100%計，W的質量百分比為92%~97%；Al的質量百分比為1.5%~4%；M的質量百分比為1.4%~4%；

所述鎢導電層包括W晶相和M-Al-O晶相；

所述鎢導電層中，M-Al-O晶相的質量百分比為5%~11%；

所述M-Al-O晶相包括M₄Al₂O₉、MAlO₃、M₃Al₅O₁₂中的至少一種；所述M選自Y、Dy、Er、Sm中的至少一種。

2.根據權利要求1所述的一種陶瓷封裝基座，其特征在于：所述W晶相的粒徑為0.99μm~1.99μm。

3.根據權利要求1所述的一種陶瓷封裝基座，其特征在于：所述絕緣基體包括具有電子元件搭載部的基板和框體；所述框體設置在所述基板上并圍繞所述電子元件搭載部。

4.根據權利要求3所述的一種陶瓷封裝基座，其特征在于：所述鎢導電層的表面還包括依次層疊設置的鎳層和金層。

5.權利要求4所述陶瓷封裝基座的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1）將氮化鋁陶瓷漿料加工成型為陶瓷生坯；

2）按照陶瓷層的結構要求，將陶瓷生坯進行沖孔成型；

3）按照陶瓷層的導電層圖案要求，將步驟2）得到的生坯進行鎢漿料填孔和印刷，得到陶瓷層；

4）將多個陶瓷層進行疊層，形成陶瓷封裝基座生坯；

5）將陶瓷封裝基座生坯進行排膠燒結，得到含有鎢導電層的陶瓷封裝基座；

6）在露出于絕緣基體的鎢導電層上依次進行鍍鎳和鍍金。

6.權利要求1至4任一項所述的陶瓷封裝基座在傳感器中的應用。