[發明專利]一種濺鍍沉積設備的晶圓夾具

在審

• 申請號: 202110249255.1
• 申請日: 2021-03-08
• 公開（公告）號: CN112864083A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 蔡志隆;劉崇志
• 申請（專利權）人: 泰杋科技股份有限公司;北京利寶生科技有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;C23C14/34;C23C14/50
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 渠述華

1.一種濺鍍沉積設備的晶圓夾具，在濺鍍沉積工藝過程中用于承托一晶圓，所述晶圓夾具呈一圓環形，所述晶圓夾具的內圈向環形中間處延伸有延伸托座，所述延伸托座用于放置上述晶圓，其特征在于：所述晶圓夾具上表面靠近延伸托座處為一溝槽區，該溝槽區布滿溝槽。

2.如權利要求1所述的一種濺鍍沉積設備的晶圓夾具，其特征在于：所述溝槽區為從靠近延伸托座的內圈開始，向著晶圓夾具外圈方向徑向延伸1cm~3cm的區域范圍。

3.如權利要求1所述的一種濺鍍沉積設備的晶圓夾具，其特征在于：所述溝槽區的溝槽成交叉狀的設計，溝槽深度1mm~2mm，溝槽側壁傾斜角30°~60°，各溝槽的直角處以噴砂處理成圓弧角。

4.如權利要求1所述的一種濺鍍沉積設備的晶圓夾具，其特征在于：所述溝槽區的溝槽成嵌套的環狀設計，溝槽深度1mm~2mm，溝槽側壁傾斜角30°~60°，各溝槽的直角處以噴砂處理成圓弧角。

5.如權利要求4所述的一種濺鍍沉積設備的晶圓夾具，其特征在于：所述溝槽區沿徑向設有多條橫隔溝槽，各橫隔溝槽連通相鄰的環狀的溝槽，各橫隔溝槽成間距15°~30°的環狀分布。

6.如權利要求1-5任一一項所述的一種濺鍍沉積設備的晶圓夾具，其特征在于：所述晶圓夾具表面布滿一層氮化鉭屏敝膜。

7.如權利要求6所述的一種濺鍍沉積設備的晶圓夾具，其特征在于：所述氮化鉭屏敝膜膜厚20μm~150μm。

8.如權利要求6所述的一種濺鍍沉積設備的晶圓夾具，其特征在于：所述溝槽區的氮化鉭屏敝膜表面再熔噴一層鋁膜。

9.如權利要求8所述的一種濺鍍沉積設備的晶圓夾具，其特征在于：所述鋁膜膜厚20μm~250μm。

10.如權利要求1所述的一種濺鍍沉積設備的晶圓夾具，其特征在于：所述晶圓夾具的上部外徑邊做一倒角處理，角度為105°~135°。