[發明專利]可控硅驅動電路及方法

在審

• 申請號: 202110248541.6
• 申請日: 2021-03-05
• 公開（公告）號: CN113037252A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 吳巖松
• 申請（專利權）人: 蘇州匯川技術有限公司
• 主分類號: H03K17/06
• 分類號: H03K17/06
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 陳小娟

本發明屬于可控硅技術領域，公開了一種可控硅驅動電路及方法。該電路包括采樣模塊及脈沖生成模塊，采樣模塊采集可控硅整流電路的輸入端電壓，進行信號調理后發送至脈沖生成模塊；脈沖生成模塊根據調理后的電壓信號確定允許發波區間并生成目標窄脈沖；和/或，根據調理后的電壓信號確定允許發波區間，根據允許發波區間和預設脈沖序列生成目標窄脈沖，根據目標窄脈沖驅動可控硅整流電路中的可控硅。本發明中可控硅的發波方式為單個窄脈沖不受電源功率的限制，減小電源功耗節省空間，不受限于電源功耗可增大可控硅的驅動電流利于主回路大電流下可控硅開通。

技術領域

本發明涉及可控硅技術領域，尤其涉及一種可控硅驅動電路及方法。

背景技術

一般有兩種可控硅驅動方案，軟件方案：使用MCU等處理器，檢測電網電壓相關電壓后，進行判斷、發波，功率放大后直接驅動可控硅；純硬件方案：不使用MCU等處理器，只使用硬件電路檢測電網相關電壓后，進行判斷、發波，功率放大后直接驅動可控硅。

以上兩種方案的具體發波一般為一串脈沖序列或者長時間的直流。而可控硅在開通后不需要再給門極信號也能持續導通，開通后給門極信號只會造成電源功耗的浪費，相關器件選型偏大，散熱空間大，而且受到功率的限制，可控硅的驅動電流不能做的很大，不利于主回路大電流下可控硅的開通。

上述內容僅用于輔助理解本發明的技術方案，并不代表承認上述內容是現有技術。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種可控硅驅動電路及方法，旨在解決現有可控硅驅動方式造成電源功耗的浪費，并且在主回路大電流下存在可控硅開通受限的技術問題。

為實現上述目的，本發明提供了一種可控硅驅動電路，所述可控硅驅動電路包括：采樣模塊以及脈沖生成模塊，所述采樣模塊的輸入端與可控硅整流電路的輸入端連接，所述采樣模塊的輸出端與所述脈沖生成模塊的輸入端連接，所述脈沖生成模塊的輸出端與所述可控硅整流電路中的可控硅連接；其中，

所述采樣模塊，用于采集所述可控硅整流電路的輸入端電壓，對所述輸入端電壓進行信號調理，并將調理后的電壓信號發送至所述脈沖生成模塊；

所述脈沖生成模塊，用于根據所述調理后的電壓信號確定允許發波區間，并根據所述允許發波區間生成目標窄脈沖；和/或，所述脈沖生成模塊，用于發出預設脈沖序列，根據所述調理后的電壓信號確定允許發波區間，根據所述允許發波區間和所述預設脈沖序列生成目標窄脈沖；

所述脈沖生成模塊，還用于根據所述目標窄脈沖驅動所述可控硅整流電路中的可控硅。

可選地，所述采樣模塊包括依次連接的電壓采樣電路以及信號調制電路，所述電壓采樣電路的輸入端與可控硅整流電路的輸入端連接，所述信號調制電路的輸出端與所述脈沖生成模塊的輸入端連接；其中，

所述電壓采樣電路，用于采集所述可控硅整流電路的輸入端電壓，并將所述輸入端電壓發送至所述信號調制電路；

所述信號調制電路，用于對所述輸入端電壓進行調理，并將調理后的電壓信號發送至所述脈沖生成模塊。

可選地，所述脈沖生成模塊包括脈沖生成電路，所述脈沖生成電路的輸入端與所述信號調制電路的輸出端連接，所述脈沖生成電路的輸出端與所述可控硅整流電路中的可控硅連接；其中，

所述脈沖生成電路，用于根據接收到的調理后的電壓信號確定允許發波區間，并根據所述允許發波區間生成目標窄脈沖；

和/或，