[發(fā)明專利]基于二維材料的用于3D集成的選通器件及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110248349.7 | 申請日： | 2021-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN113517392A | 公開（公告）日： | 2021-10-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳琳;王天宇;孟佳琳;何振宇;孫清清;張衛(wèi) | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;陸尤 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 二維 材料 用于 集成 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于二維材料的用于3D集成的選通器件，其特征在于，包括：
石墨烯二維材料層，作為底電極；
BN二維材料層，作為功能層；
頂電極陣列，包括多條以一定間隔排列的線狀頂電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于二維材料的用于3D集成的選通器件，其特征在于，所述石墨烯二維材料層的厚度為20nm~70nm。
3.根據(jù)權利要求1所述的基于二維材料的用于3D集成的選通器件，其特征在于，所述BN二維材料層的厚度為10nm~70nm。
4. 根據(jù)權利要求1所述的基于二維材料的用于3D集成的選通器件，其特征在于，所述線狀頂電極的材料為Ag或Cu，寬度為2μm~20μm，厚度為 20nm~70nm。
5.一種基于二維材料的用于3D集成的選通器件的制備方法，其特征在于，具體步驟為：
采用機械剝離方法制備石墨烯二維材料層，作為底電極；
將BN二維材料層轉移至所述石墨烯二維材料層上，作為功能層；
形成多條以一定間隔排列的線狀頂電極，作為頂電極陣列。
6.根據(jù)權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述石墨烯二維材料層的厚度為20nm~70nm。
7.根據(jù)權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述BN二維材料層的厚度為10nm~70nm。
8. 根據(jù)權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述線狀頂電極的材料為Ag、Cu，寬度為2μm~20μm，厚度為 20nm~70nm。
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