[發(fā)明專利]一種外延設(shè)備監(jiān)測方法和相應(yīng)的外延設(shè)備監(jiān)測裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110247486.9 | 申請日: | 2021-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN113113329A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬海霞 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C23C16/54 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 外延 設(shè)備 監(jiān)測 方法 相應(yīng) 裝置 | ||
本發(fā)明實施例提供了一種外延設(shè)備監(jiān)測方法和裝置,所述方法包括:確定所述外延設(shè)備的當前工作狀態(tài);若所述當前工作狀態(tài)為預設(shè)工作狀態(tài),則獲取在所述當前工作狀態(tài)下的所述加熱元件的實際功率信息;根據(jù)所述實際功率信息判斷所述反射屏是否損壞。根據(jù)本發(fā)明實施例,監(jiān)測外延設(shè)備在進行晶片處理工藝時的實際功率信息,并根據(jù)其判斷反射屏是否損壞,能夠有效避免在反射屏損壞的情況下繼續(xù)進行晶片工藝處理給外延設(shè)備中的其他部件帶來的負面影響,保護其他部件的使用壽命,進而降低外延設(shè)備的維護成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種外延設(shè)備監(jiān)測方法和一種外延設(shè)備監(jiān)測裝置。
背景技術(shù)
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD)指化學氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法,是一種在工藝腔室內(nèi),通過高溫加熱等方式,將氣態(tài)反應(yīng)物經(jīng)化學反應(yīng)生成固態(tài)物質(zhì)并沉積在晶片表面的薄膜沉積技術(shù)。
加熱系統(tǒng)在CVD設(shè)備中起著極為重要的作用,現(xiàn)有CVD設(shè)備采用紅外加熱方式,加熱系統(tǒng)主要由紅外鹵素燈和鍍金反射屏組成,紅外鹵素燈發(fā)射的紅外線通過鍍金反射屏的反射作用,照射在石墨托盤,對托盤進行加熱并形成均勻的溫場,從而實現(xiàn)對托盤上的晶圓進行均勻加熱,以生成一層電阻率均勻的外延層。然而,鍍金反射屏在使用過程中會出現(xiàn)表面金層脫落或表面燒黑的現(xiàn)象,造成反射屏反射性能變差,若在這種情況下繼續(xù)CVD工藝,完成同樣工藝需要的加熱燈管總功率會增大,從而影響加熱燈管和其他部件的使用壽命,增加機臺維護成本。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題,提出了本發(fā)明實施例以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種外延設(shè)備監(jiān)測方法和相應(yīng)的一種外延設(shè)備監(jiān)測裝置。
為了解決上述問題,本發(fā)明實施例公開了一種外延設(shè)備監(jiān)測方法,所述外延設(shè)備包括反射屏和加熱元件,所述方法包括:
確定所述外延設(shè)備的當前工作狀態(tài);
若所述當前工作狀態(tài)為預設(shè)工作狀態(tài),則獲取在所述當前工作狀態(tài)下的所述加熱元件的實際功率信息;
根據(jù)所述實際功率信息判斷所述反射屏是否損壞。
可選地,所述預設(shè)工作狀態(tài)包括外延狀態(tài)和蝕刻狀態(tài),所述若所述當前工作狀態(tài)為預設(shè)工作狀態(tài),則獲取在所述當前工作狀態(tài)下的所述加熱元件的實際功率信息,包括:
若所述當前工作狀態(tài)為所述外延狀態(tài),則獲取在所述外延狀態(tài)下的所述加熱元件的所述實際功率信息;
或,
若所述當前工作狀態(tài)為所述蝕刻狀態(tài),則獲取在所述蝕刻狀態(tài)下的所述加熱元件的所述實際功率信息。
可選地,所述獲取在所述當前工作狀態(tài)下的所述加熱元件的實際功率信息,包括:
在所述當前工作狀態(tài)下,記錄所述加熱元件的功率值,并在所述加熱元件的功率值每發(fā)生一次變化后,記錄變化后的功率值;
若所述外延設(shè)備結(jié)束所述當前工作狀態(tài),則根據(jù)所記錄的所有功率值確定在所述當前工作狀態(tài)下的所述加熱元件的所述實際功率信息。
可選地,所述根據(jù)所述實際功率信息判斷所述反射屏是否損壞,包括:
獲取與所述當前工作狀態(tài)對應(yīng)的預設(shè)功率信息;
比較所述實際功率信息和所述預設(shè)功率信息,確定功率差異信息;根據(jù)所述功率差異信息判斷所述反射屏是否損壞。
可選地,所述根據(jù)所記錄的所有功率值確定在所述當前工作狀態(tài)下的所述加熱元件的所述實際功率信息,包括:
計算所述所記錄的所有功率值的平均功率值,并將所述平均功率值作為在所述當前工作狀態(tài)下的所述加熱元件的所述實際功率信息。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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