[發明專利]存儲器電路及其方法

有效

• 申請號: 202110247150.2
• 申請日: 2021-03-05
• 公開（公告）號: CN113053445B
• 公開（公告）日: 2023-09-12
• 發明（設計）人: 劉智民
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種存儲器電路，包括：

一次性可編程(OTP)單元；

非易失性存儲器(NVM)單元；

位線，耦合至所述OTP單元和所述NVM單元；

放大器，包括耦合至所述位線的第一輸入端子，所述放大器被配置為基于所述位線上的信號產生輸出電壓；

模數轉換器(ADC)，被配置為基于所述輸出電壓產生數字輸出信號；以及

比較器，包括耦合至所述ADC的輸出端口的第一輸入端口，其中，所述比較器被配置為響應于所述數字輸出信號與在第二輸入端口處接收的閾值電平的比較而輸出數據位。

2.根據權利要求1所述的存儲器電路，其中，所述放大器的所述第一輸入端子通過與電容器件并聯的開關器件耦合至所述位線。

3.根據權利要求1所述的存儲器電路，其中，所述放大器包括通過開關器件耦合至虛擬接地電壓源的第二輸入端子。

4.根據權利要求3所述的存儲器電路，其中

所述放大器的所述第二輸入端子進一步通過電容器件耦合至源極線；

所述源極線耦合至所述NVM單元。

5.根據權利要求1所述的存儲器電路，還包括存儲器件，所述存儲器件被配置為存儲所述閾值電平。

6.根據權利要求5所述的存儲器電路，還包括控制電路，所述控制電路被配置為產生所述閾值電平并將其存儲在所述存儲器件中。

7.根據權利要求5所述的存儲器電路，其中

所述存儲器件包括多個OTP單元，并且

所述OTP單元是所述多個OTP單元中的一個OTP單元。

8.根據權利要求1所述的存儲器電路，其中，所述NVM單元包括磁性隧道結(MTJ)。

9.一種在存儲器電路上執行讀取操作的方法，所述方法包括：

選擇耦合至位線的一次性可編程(OTP)單元或耦合至所述位線的非易失性存儲器(NVM)單元中的一個；

基于所選擇的OTP或NVM單元的邏輯狀態，使用放大器響應于所述位線上的信號來產生模擬信號；以及

使用模數轉換器(ADC)基于所述模擬信號產生數字輸出信號。

10.根據權利要求9所述的方法，其中

所述選擇所述OTP單元或所述NVM單元中的一個包括選擇所述OTP單元；

所述使用所述放大器響應于所述位線上的所述信號來產生所述模擬信號包括：

從所述OTP單元接收柵極電流；以及

配置所述放大器以集成模式運行。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述配置所述放大器以集成模式運行包括在所述放大器的輸入端子提供虛擬接地電壓。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，

所述選擇所述OTP單元或所述NVM單元中的一個包括選擇所述NVM單元；

所述使用所述放大器響應于所述位線上的所述信號來產生所述模擬信號包括：

從所述NVM單元接收電壓差；以及

配置所述放大器以放大模式運行。

13.根據權利要求9所述的方法，還包括：

將所述數字輸出信號與數字閾值電平進行比較；以及輸出數據位，所述數據位指示將所述數字輸出信號與所述數字閾值電平進行比較的結果。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，所述將所述數字輸出信號與所述數字閾值電平進行比較包括：基于所述選擇所述OTP單元或所述NVM單元中的一個從多個數字閾值電平中選擇所述數字閾值電平。