[發(fā)明專利]電源泄放電路及電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110246507.5 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112993960A | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 祁建業(yè) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海有個(gè)機(jī)器人有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02H9/04 | 分類號(hào): | H02H9/04;H02H1/00;H02H7/20 |
| 代理公司: | 北京天盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11421 | 代理人: | 梁秀秀 |
| 地址: | 200120 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電源 電路 電子設(shè)備 | ||
1.一種電源泄放電路,其特征在于,包括電壓檢測模塊及泄放模塊;所述電壓檢測模塊連接所述泄放模塊,所述電壓檢測模塊用于檢測目標(biāo)電路的電源電壓,當(dāng)所述電源電壓與預(yù)設(shè)電壓值不一致時(shí),所述泄放模塊將所述目標(biāo)電路的電能泄放到地。
2.如權(quán)利要求1所述的電源泄放電路,其特征在于,所述電壓檢測模塊為電壓檢測芯片,當(dāng)所述電壓檢測芯片檢測到的所述電源電壓高于所述預(yù)設(shè)電壓值時(shí),所述電壓檢測芯片的輸出引腳輸出高電平;當(dāng)所述電壓檢測芯片檢測到的電壓低于預(yù)設(shè)電壓值時(shí),所述電壓檢測芯片的輸出引腳輸出低電平。
3.如權(quán)利要求1所述的電源泄放電路,其特征在于,所述泄放模塊包括多個(gè)開關(guān)和多個(gè)功率元件。
4.如權(quán)利要求1所述的電源泄放電路,其特征在于,所述泄放模塊包括第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)及第一功率元件。
5.如權(quán)利要求4所述的電源泄放電路,其特征在于,所述第一開關(guān)為NPN型三極管,所述第二開關(guān)為P型MOS管,所述第三開關(guān)為PNP型三極管;所述NPN型三極管的基極通過第一電阻連接所述電壓檢測模塊,所述NPN型三極管的發(fā)射極接地,所述NPN型三極管的集電極連接所述P型MOS管的柵極,所述NPN型三極管的集電極還通過第二電阻連接所述P型MOS管的源極,所述P型MOS管的漏極連接第三電阻后接地;所述P型MOS管的漏極還通過第四電阻連接所述PNP型三極管的基極,所述PNP型三極管的發(fā)射極連接所述P型MOS管的源極,所述PNP型三極管的集電極連接所述第一功率元件后接地。
6.如權(quán)利要求4所述的電源泄放電路,其特征在于,所述第一功率元件為電阻。
7.如權(quán)利要求2所述的電源泄放電路,其特征在于,所述電壓檢測芯片的電源引腳通過第五電阻連接所述電壓檢測芯片的輸出引腳,所述電壓檢測芯片的電源引腳還通過第一電容接地。
8.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的電源泄放電路。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海有個(gè)機(jī)器人有限公司,未經(jīng)上海有個(gè)機(jī)器人有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110246507.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





