[發明專利]一種固結磨料拋光墊及易潮解KDP晶體干式拋光方法

有效

• 申請號: 202110246315.4
• 申請日: 2021-03-05
• 公開（公告）號: CN112959233B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 李軍;熊光輝;李凱旋;朱永偉;左敦穩;吳成;于寧斌
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學;南京航空航天大學無錫研究院
• 主分類號: B24D13/00
• 分類號: B24D13/00;B24D3/00;B24B29/00
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務所 32237
• 代理人: 徐曉鷺

1.一種固結磨料拋光墊，其特征在于：所述固結磨料拋光墊中包含磨粒、反應物、催化劑、固化劑和結合劑，所述的拋光墊用于晶體的干式拋光；所述磨粒為二氧化硅、氧化鈰、氧化鋁、碳化硅中的一種或一種以上的組合；

所述反應物與KDP晶體在拋光過程中發生固相化學反應，所述反應物為氫氧化鉀、碳酸鉀、碳酸氫鉀、草酸鉀中的一種或一種以上組合；

所述催化劑促進固相化學反應，所述催化劑為脂肪酰胺磺基琥珀酸單酯、N-月桂酰基肌氨酸鈉、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉中的一種或一種以上組合；

拋光墊中所述反應物的質量分數為5%~40%，所述催化劑的質量分數為0.1%~10%，所述磨粒的質量分數為10%~60%，其余成分為固化劑和結合劑。

2.根據權利要求1所述的固結磨料拋光墊，其特征在于，所述的磨粒粒徑為0.5~5μm。

3.一種易潮解KDP晶體干式拋光方法，其特征在于：采用固結磨料拋光墊拋光KDP晶體，所述固結磨料拋光墊中包含磨粒、反應物、催化劑、固化劑和結合劑，反應物與KDP晶體發生固相化學反應生成過渡層，過渡層在磨粒的機械作用下被去除，得到光滑表面；

所述固結磨料拋光墊中的反應物與KDP晶體在拋光過程中發生固相化學反應，所述反應物為氫氧化鉀、碳酸鉀、碳酸氫鉀、草酸鉀中的一種或一種以上組合。

4.根據權利要求3所述的易潮解KDP晶體干式拋光方法，其特征在于，所述固結磨料拋光墊中的磨粒為二氧化硅、氧化鈰、氧化鋁、碳化硅中的一種或一種以上的組合，粒徑在0.5~5μm之間。

5.根據權利要求3所述的易潮解KDP晶體干式拋光方法，其特征在于，

所述固結磨料拋光墊中的催化劑促進固相化學反應，所述催化劑為脂肪酰胺磺基琥珀酸單酯、N-月桂酰基肌氨酸鈉、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉中的一種或一種以上組合。

6.根據權利要求3所述的易潮解KDP晶體干式拋光方法，其特征在于：所述反應物的質量分數為5%~40%，所述催化劑的質量分數為0.1%~10%，磨粒質量分數為10%~60%，其余成分為固化劑和結合劑。