[發(fā)明專利]DRAM測試方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設(shè)備

在審

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• 申請日: 2021-03-05
• 公開（公告）號: CN113035259A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫成思;孫日欣;雷泰
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳佰維存儲科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務(wù)所 44275
• 代理人: 劉曉燕

1.一種DRAM測試方法，其特征在于，包括步驟：

對待測試的DRAM進(jìn)行兩輪測試，分別得到第一比較結(jié)果和第二比較結(jié)果；

所述測試包括：

對所述待測試的DRAM的存儲陣列寫入預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)直至所述待測試的DRAM的所有存儲單元均寫入數(shù)據(jù)；

以預(yù)設(shè)測試單元為單位對所述存儲陣列進(jìn)行遍歷直至遍歷完所述存儲陣列的所有存儲單元，所述預(yù)設(shè)測試單元包括所述存儲陣列的每一存儲體上同一位置對應(yīng)的預(yù)設(shè)操作單元；

對于遍歷到的目標(biāo)測試單元，基于所述預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)按照預(yù)設(shè)順序?qū)λ瞿繕?biāo)測試單元的每一預(yù)設(shè)操作單元進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作，將讀取的數(shù)據(jù)與對應(yīng)寫入的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；

第一輪測試的預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)為第二輪測試的預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)的反數(shù)；

根據(jù)所述第一比較結(jié)果和第二比較結(jié)果得到所述待測試的DRAM的測試結(jié)果。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DRAM測試方法，其特征在于，所述對所述待測試的DRAM的存儲陣列寫入預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)直至所述待測試的DRAM的所有存儲單元均寫入數(shù)據(jù)包括：

以預(yù)設(shè)突發(fā)長度為單位從所述待測試的DRAM的存儲陣列的每一預(yù)設(shè)讀寫單元的低位地址開始寫入所述預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)直至所述待測試的DRAM的所有存儲單元均寫入數(shù)據(jù)；

所述預(yù)設(shè)讀寫單元包括行或列。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DRAM測試方法，其特征在于，所述以預(yù)設(shè)測試單元為單位對所述存儲陣列進(jìn)行遍歷直至遍歷完所述存儲陣列的所有存儲單元包括：

以預(yù)設(shè)測試單元為單位對所述存儲陣列按照預(yù)設(shè)方向進(jìn)行遍歷直至遍歷完所述存儲陣列的所有存儲單元。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種DRAM測試方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)方向包括行方向或列方向；

所述第一輪測試和所述第二輪測試的預(yù)設(shè)方向不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DRAM測試方法，其特征在于，所述基于所述預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)按照預(yù)設(shè)順序?qū)λ瞿繕?biāo)測試單元的每一預(yù)設(shè)操作單元進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作包括：

基于所述預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)按照所述目標(biāo)測試單元中各個存儲體的序號順序?qū)λ瞿繕?biāo)測試單元的每一預(yù)設(shè)操作單元進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的一種DRAM測試方法，其特征在于，對于每一預(yù)設(shè)操作單元，在進(jìn)行所述比較之后，向所述預(yù)設(shè)操作單元寫入所述預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)的反數(shù)；

所述第二輪測試還包括步驟：

讀取所述待測試的DRAM的所有預(yù)設(shè)測試單元的數(shù)據(jù)，將讀取到的數(shù)據(jù)與對應(yīng)寫入的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的一種DRAM測試方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一比較結(jié)果和第二比較結(jié)果得到所述待測試的DRAM的測試結(jié)果包括：

若所述第一比較結(jié)果與所述第二比較結(jié)果均為比較結(jié)果一致，則測試結(jié)果為成功；否則，測試結(jié)果為失敗。

8.一種DRAM測試裝置，其特征在于，包括：

數(shù)據(jù)讀寫模塊，用于對待測試的DRAM進(jìn)行兩輪測試，分別得到第一比較結(jié)果和第二比較結(jié)果；

所述測試包括：

對所述待測試的DRAM的存儲陣列寫入預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)直至所述待測試的DRAM的所有存儲單元均寫入數(shù)據(jù)；

以預(yù)設(shè)測試單元為單位對所述存儲陣列進(jìn)行遍歷直至遍歷完所述存儲陣列的所有存儲單元，所述預(yù)設(shè)測試單元包括所述存儲陣列的每一存儲體上同一位置對應(yīng)的預(yù)設(shè)操作單元；

對于遍歷到的目標(biāo)測試單元，基于所述預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)按照預(yù)設(shè)順序?qū)λ瞿繕?biāo)測試單元的每一預(yù)設(shè)操作單元進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作，將讀取的數(shù)據(jù)與對應(yīng)寫入的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；

第一輪測試的預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)為第二輪測試的預(yù)設(shè)測試數(shù)據(jù)的反數(shù)；

測試模塊，用于根據(jù)所述第一比較結(jié)果和第二比較結(jié)果得到所述待測試的DRAM的測試結(jié)果。

9.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機(jī)程序，其特征在于，所述計算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項所述的一種DRAM測試方法中的各個步驟。

10.一種電子設(shè)備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運(yùn)行的計算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計算機(jī)程序時實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項所述的一種DRAM測試方法中的各個步驟。