[發明專利]晶閘管、三端雙向可控硅和瞬態電壓抑制二極管制造

在審

• 申請號: 202110244078.8
• 申請日: 2021-03-05
• 公開（公告）號: CN113363310A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: P·奧特克爾;V·卡洛
• 申請（專利權）人: 意法半導體(圖爾)公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/74;H01L21/332
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李春輝

1.一種設備，包括：

半導體襯底，包括在所述半導體襯底的外圍處的臺階；

第一層，在所述半導體襯底的第一表面的頂部上并且與所述第一表面接觸，并且至少在所述臺階的壁和底部上延伸并且與所述壁和底部接觸，其中所述第一層由摻雜有氧的多晶硅制成；以及

第二層，在所述第一層上延伸并且與所述第一層接觸，并且在所述第一層的邊緣上延伸，所述第二層在所述臺階與所述設備的中心區域之間形成凸臺，其中所述第二層由玻璃制成。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述第二層包括第一玻璃子層和第二玻璃子層，所述第一玻璃子層在所述第一層上并且與所述第一層接觸，并且與所述第一層對準，所述第二玻璃子層在所述第一玻璃子層上延伸并且與所述第一玻璃子層接觸，并且覆蓋所述第一層的邊緣和所述第一玻璃子層的邊緣。

3.根據權利要求2所述的設備，其中在所述凸臺的層級處，所述第一子層具有在5μm至30μm的范圍內的厚度。

4.根據權利要求2所述的設備，其中在所述凸臺的層級處，所述第一子層具有在10μm至20μm的范圍內的厚度。

5.根據權利要求2所述的設備，其中在所述凸臺的層級處，所述第一子層具有等于近似13μm的厚度。

6.根據權利要求2所述的設備，其中在所述臺階的所述底部處，所述第一子層具有在20μm至60μm的范圍內的厚度。

7.根據權利要求2所述的設備，其中在所述臺階的所述底部處，所述第一子層具有在30μm至40μm的范圍內的厚度。

8.根據權利要求2所述的設備，其中在所述臺階的所述底部處，所述第一子層具有等于近似35μm的厚度。

9.根據權利要求2所述的設備，其中所述第二子層具有在5μm至20μm的范圍內的厚度。

10.根據權利要求2所述的設備，其中所述第二子層具有等于近似13μm的厚度。

11.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一層具有在0.2μm至1μm的范圍內的厚度。

12.根據權利要求1所述的設備，其中所述第一層具有等于近似0.5μm的厚度。

13.根據權利要求1所述的設備，其中所述凸臺具有在10μm至50μm的范圍內的厚度。

14.根據權利要求1所述的設備，其中所述凸臺具有在10μm至35μm的范圍內的厚度。

15.根據權利要求1所述的設備，其中所述凸臺具有等于近似15μm的厚度。

16.根據權利要求1所述的設備，其中所述臺階具有在80μm至200μm的范圍內的深度。

17.根據權利要求1所述的設備，其中所述臺階具有等于近似105μm的深度。

18.一種電子部件，其在所述半導體襯底的每個表面上包括所述臺階、所述第一層和所述第二層，以形成選自由以下組成的組的電路部件：晶閘管、三端雙向可控硅和瞬態電壓抑制二極管。