[發(fā)明專利]一種發(fā)電機(jī)出口大容量快速斷路器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110243330.3 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113013839B | 公開(公告)日: | 2022-07-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 榮命哲;吳益飛;楊飛;吳翊;紐春萍;程子月 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H02H7/06 | 分類號(hào): | H02H7/06 |
| 代理公司: | 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 覃婧嬋 |
| 地址: | 710049 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 發(fā)電機(jī) 出口 容量 快速 斷路器 | ||
1.一種發(fā)電機(jī)出口大容量快速斷路器,其特征在于:
所述發(fā)電機(jī)出口大容量快速斷路器的三相結(jié)構(gòu)相同,每一相包括額定通流模塊、轉(zhuǎn)移模塊、限流模塊、快速開斷模塊四個(gè)部分;其中,
所述轉(zhuǎn)移模塊、限流模塊、快速開斷模塊串聯(lián)后與額定通流模塊并聯(lián);
當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生短路故障時(shí),額定通流模塊打開,電流轉(zhuǎn)至轉(zhuǎn)移模塊,限流模塊完成限流,最終由快速開斷模塊完成電流開斷;并且:
(1)所述額定通流模塊組成電路1;
(2)所述轉(zhuǎn)移模塊包括磁耦合模塊及電力電子組件部分;
(3)所述磁耦合模塊包括副邊電路2及原邊電路3,原邊串聯(lián)了半控型電力電子器件;所述磁耦合模塊原邊為多個(gè)串聯(lián),副邊為一個(gè)或多個(gè)串并聯(lián)的結(jié)構(gòu);
(4)所述限流模塊與電力電子組件并聯(lián),限流電阻并聯(lián)在每個(gè)電力電子組件兩端或者整個(gè)電力電子組件兩端;所述電力電子組件部分由吸收緩沖支路、二極管、全控型電力電子器件組成,或電力電子器件級(jí)聯(lián)或橋式串聯(lián)組成,并聯(lián)電抗之間通過耦合電抗器來自均流;
(5)所述二極管包括二極管VD1,VD2,VD3,VD4組成的二極管電路4,5,6,7;所述全控型電力電子器件A1組成的全控型器件電路8;
(6)所述吸收緩沖支路包括二極管D組成的二極管電路9,電容C組成的緩沖吸收支路電容電路11,半控型電力電子器件A1,A2組成的半控型器件電路10;
(7)所述限流模塊的限流電阻組成的電流限制電路12;
(8)所述快速開斷模塊的快速斷路器組成電路13;
其中:
所述電路1與磁耦合模塊的副邊電路2具有第一端點(diǎn),電路1與電路13具有第二端點(diǎn);
所述磁耦合模塊的副邊電路2與二極管電路4,6及電流限制電路12并聯(lián)之間具有第三端點(diǎn);
所述二極管電路4,5,9與半控型器件A2之間具有第四端點(diǎn);
所述緩沖吸收支路電容電路11與全控型器件電路8,二極管電路6,7之間具有第五端點(diǎn);所述緩沖吸收支路電容電路11與二極管電路9和半控型器件電路10并聯(lián)后具有第六端點(diǎn);二極管電路5,7與限流模塊的限流電阻組成的電流限制電路12、電路13具有第七端點(diǎn);
所述額定通流模塊由快速斷路器組成,其斷口滅弧介質(zhì)為真空,六氟化硫,或者環(huán)保滅弧介質(zhì),斷口為一個(gè)或多個(gè)的串并聯(lián);
所述快速開斷模塊由快速斷路器組成,其斷口滅弧介質(zhì)為真空,六氟化硫,或者環(huán)保滅弧介質(zhì),斷口為一個(gè)或多個(gè)的串并聯(lián);
所述限流模塊的限流電阻為繞線電阻、膜電阻、水泥電阻、碳電阻、氧化鋅電阻一個(gè)或任意多個(gè)的串并聯(lián)組合;
所述電容C包括薄膜電容、有機(jī)介質(zhì)電容、無機(jī)介質(zhì)電容、電熱電容和空氣介質(zhì)電容中的任意一個(gè)或者多個(gè)的組合;
所述二極管D為不可控的單向?qū)üβ拾雽?dǎo)體器件或其組合,包括電力二極管、肖特基二極管中的任意一個(gè)或者任意多個(gè)的組合;
所述半控型電力電子器件A2,A3為具有電流關(guān)斷能力的半控型電力電子器件,包括晶閘管;
所述全控型電力電子器件A1為具有電流關(guān)斷能力的全控型電力電子器件,包括MOSFET、IGCT、IGBT和IEGT中的任意一個(gè)或者任意多個(gè)的組合。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安交通大學(xué),未經(jīng)西安交通大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110243330.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





