[發明專利]一種高密度ITO靶材的常壓燒結方法

有效

• 申請號: 202110242920.4
• 申請日: 2021-03-05
• 公開（公告）號: CN112898013B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 唐智勇
• 申請（專利權）人: 株洲火炬安泰新材料有限公司
• 主分類號: C04B35/457
• 分類號: C04B35/457;C04B35/622;C04B35/64
• 代理公司: 長沙鑫澤信知識產權代理事務所(普通合伙) 43247
• 代理人: 刁飛

1.一種高密度ITO靶材的常壓燒結方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1、ITO平面素坯(2)的放置

將ITO平面素坯(2)置于燒結爐內的支撐裝置上，以使支撐裝置放置面上放置有多個ITO平面素坯(2)，相鄰ITO平面素坯(2)通過放置面上的限位柱隔開；

S2、ITO靶材的燒結

在常壓氧氣氛條件下，通過燒結爐對支撐裝置上的ITO平面素坯(2)進行燒結，ITO平面素坯(2)采用分段式燒結，分段式燒結過程為：

以2-6℃/min升溫至600-800℃，保溫5-10h，氧氣流量8L/min；再以0.5-3℃/min升溫至1300-1400℃，保溫10-20h，氧氣流量13L/min；再以0.5-2℃/min升溫至1500-1700℃，保溫20-60h，氧氣流量18L/min，制得高密度ITO靶材；

所述支撐裝置包括固定在所述燒結爐內的固定板(1)，所述固定板(1)頂面為用于放置所述ITO平面素坯(2)的放置面(3)，所述放置面(3)為傾斜設置，所述放置面(3)上開設有用于氧氣填充的凹槽(4)，所述凹槽(4)設置有多個，多個所述凹槽(4)沿所述放置面(3)傾斜方向等間距布置；

所述放置面(3)下端固定有用于限制所述ITO平面素坯(2)向下滑動的定位塊(6)，所述定位塊(6)與所述ITO平面素坯(2)接觸，所述固定板(1)上設置有推動機構(7)，所述推動機構(7)用于推動所述ITO平面素坯(2)沿所述放置面(3)傾斜方向向上滑動，以使所述固定板(1)脫離所述定位塊(6)。

2.根據權利要求1所述的一種高密度ITO靶材的常壓燒結方法，其特征在于：在步驟S2中，ITO平面素坯(2)在燒結爐內燒結之前，先對ITO平面素坯(2)進行脫脂和燒結爐抽真空處理。

3.根據權利要求2所述的一種高密度ITO靶材的常壓燒結方法，其特征在于：脫脂處理的處理溫度為500-800℃，脫脂時間為30-80h。

4.根據權利要求1所述的一種高密度ITO靶材的常壓燒結方法，其特征在于：在ITO平面素坯(2)中，In₂O₃/SnO₂的質量比為9∶1。

5.根據權利要求1所述的一種高密度ITO靶材的常壓燒結方法，其特征在于：所述推動機構(7)包括推塊(71)、空腔(73)、滑板(74)、電機、齒輪(75)、轉軸(76)和腔室(77)；

所述空腔(73)和所述腔室(77)均位于所述固定板(1)內，所述腔室(77)位于所述空腔(73)下方且與所述空腔(73)連通，所述轉軸(76)一端與所述腔室(77)側壁轉動連接，另一端與所述電機輸出軸連接，所述空腔(73)頂部開設有槽孔(72)，所述槽孔(72)長度方向與所述放置面(3)傾斜方向相同；

所述推塊(71)位于所述ITO平面素坯(2)下端一側，所述推塊(71)插設在所述槽孔(72)內且與所述滑板(74)固定，所述滑板(74)位于所述空腔(73)內，所述滑板(74)底面設置有齒面(78)，所述齒輪(75)位于所述滑板(74)下方且與所述齒面(78)嚙合設置，所述齒輪(75)位于所述腔室(77)內且固定在所述轉軸(76)上。

6.根據權利要求5所述的一種高密度ITO靶材的常壓燒結方法，其特征在于：所述推塊(71)和所述定位塊(6)分別位于所述ITO平面素坯(2)同一側，所述槽孔(72)與所述放置面(3)下端邊緣的距離小于所述定位塊(6)與所述放置面(3)下端邊緣的距離。

7.根據權利要求1所述的一種高密度ITO靶材的常壓燒結方法，其特征在于：所述限位柱(5)固定在所述放置面(3)，所述限位柱(5)位于所述ITO平面素坯(2)的相對兩側，所述ITO平面素坯(2)與所述限位柱(5)接觸。

8.根據權利要求7所述的一種高密度ITO靶材的常壓燒結方法，其特征在于：所述放置面(3)上放置有多個所述ITO平面素坯(2)，相鄰所述ITO平面素坯(2)通過所述限位柱(5)隔開。

9.根據權利要求5所述的一種高密度ITO靶材的常壓燒結方法，其特征在于：所述電機安裝在所述燒結爐外表面。