[發明專利]光晶體管集成傳感核心的無光柵量子點光譜探測器有效
| 申請號: | 202110242558.0 | 申請日: | 2021-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN112864270B | 公開(公告)日: | 2022-09-23 |
| 發明(設計)人: | 劉向;湯振武;石林;彭正;陳思安;林海鑫 | 申請(專利權)人: | 南京信息工程大學 |
| 主分類號: | H01L31/113 | 分類號: | H01L31/113 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 蘇虹 |
| 地址: | 210044 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶體管 集成 傳感 核心 光柵 量子 光譜 探測器 | ||
1.一種光晶體管集成傳感核心的無光柵量子點光譜探測器,其特征在于:傳感單元包括基底(1),設于基底上方的柵絕緣層(3),嵌于柵絕緣層和基底之間的柵電極(2),設置于柵絕緣層(3)上方的源電極(4)、P型有源層(5)、量子點感光層(6),設于量子點感光層(6)上方的N型半導體層(7),以及設置于N型半導體層(7)上方的漏電極(8);P型有源層(5)、量子點感光層(6)、N型半導體層(7)構成P-I-N光電異質結構,且量子點感光層(6)摻雜有中心波長不同的量子點,使集成后的TFT陣列每個傳感器單元的探測中心波長不同。
2.根據權利要求1所述的光晶體管集成傳感核心的無光柵量子點光譜探測器,其特征在于:所述量子點感光層(6)中摻雜的量子點為硒化鎘量子點、碳量子點、硅量子點、鍺量子點、硒化鋅量子點、硫化鉛量子點、碲化鉛量子點以及硫化銅量子點中的至少一種。
3.根據權利要求1所述的光晶體管集成傳感核心的無光柵量子點光譜探測器,其特征在于:所述柵絕緣層(3)為無機或有機柵絕緣材料。
4.根據權利要求1所述的光晶體管集成傳感核心的無光柵量子點光譜探測器,其特征在于:所述基底(1)為玻璃、氮化硅或碳化硅藍寶石。
5.根據權利要求1所述的光晶體管集成傳感核心的無光柵量子點光譜探測器,其特征在于:電極為摻雜氧化銦錫或石墨烯的透明電極。
6.根據權利要求1所述的光晶體管集成傳感核心的無光柵量子點光譜探測器,其特征在于:N型半導體層(7)的材料為摻雜銦鎵元素的氧化鋅。
7.根據權利要求1所述的光晶體管集成傳感核心的無光柵量子點光譜探測器,其特征在于:P型有源層的材料為P型的NiO、石墨烯納米網格、摻雜的硫化鉬或Si-Ge。
8.根據權利要求1所述的光晶體管集成傳感核心的無光柵量子點光譜探測器,其特征在于:所述光譜探測器的制備方法包括:
(1)在基底(1)上沉積電極,并刻蝕形成平面柵電極(2),作為傳感陣列的行掃描線路;在基底上沉積柵絕緣層(3);
(2)在柵絕緣層(3)上沉積電極,并圖形化為平面源電極(4);
(3)在平面源電極(4)上制備P型有源層(5),后采用旋涂或打印方法制造量子點感光層(6);
(4)在量子點感光層(6)上制備N型半導體層(7)形成異質結;
(5)在N型半導體層(7)上制備透明電極,并刻蝕作為平面漏電極(8)。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





