[發(fā)明專利]晶圓漏電流測試方法、裝置、晶圓級測試儀及存儲介質(zhì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110242095.8 | 申請日： | 2021-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN113009321B | 公開（公告）日： | 2022-04-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李創(chuàng)鋒 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市金泰克半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 深圳智匯遠(yuǎn)見知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44481 | 代理人： | 李雪鵑;杜亞明 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市坪*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 漏電 測試 方法 裝置 晶圓級 測試儀 存儲 介質(zhì) | ||
1.一種晶圓漏電流測試方法，應(yīng)用于晶圓，所述晶圓包括多個待測量單元，其特征在于，所述方法包括：
獲取所述晶圓上每個所述待測量單元的漏電流；
根據(jù)所有所述待測量單元的漏電流，獲取漏電流中位數(shù)及漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值；
根據(jù)所述漏電流中位數(shù)及所述漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值，獲取漏電流偏移量；
根據(jù)所述漏電流中位數(shù)及所述漏電流偏移量，獲取漏電流測量閾值；
根據(jù)所述漏電流測量閾值篩選所述待測量單元；
其中，所述根據(jù)所有所述待測量單元的漏電流，獲取漏電流中位數(shù)及漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值包括：
根據(jù)所有所述待測量單元的漏電流的大小順序，獲取所述漏電流中位數(shù)；
根據(jù)所有所述待測量單元的漏電流，獲取漏電流均值和漏電流標(biāo)準(zhǔn)方差；
根據(jù)所述漏電流均值和所述漏電流方差，獲取所述漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述漏電流均值和所述漏電流方差，獲取所述漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值包括：
計(jì)算所述漏電流均值和所述漏電流方差之和，作為所述漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述漏電流中位數(shù)及所述漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值，獲取漏電流偏移量包括：
計(jì)算所述漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值與所述漏電流中位數(shù)之差，作為第一漏電流差值；
計(jì)算所述第一漏電流差值與預(yù)設(shè)倍數(shù)之積，作為所述漏電流偏移量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述漏電流中位數(shù)及所述漏電流偏移量，獲取漏電流測量閾值包括：
計(jì)算所述漏電流中位數(shù)與所述漏電流偏離量之和，作為所述漏電流測量閾值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述漏電流測量閾值篩選所述待測量單元包括：
若所述待測量單元的漏電流大于等于所述漏電流測量閾值，則將所述待測量單元標(biāo)記為漏電流不合格；
若所述待測量單元的漏電流小于所述漏電流測量閾值，則將所述待測量單元標(biāo)記為漏電流合格。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述待測量單元包括NAND flash的存儲塊和/或NOR flash的存儲塊。
7.一種晶圓漏電流測試裝置，其特征在于，所述裝置包括：
漏電流獲取模塊，用于獲取所述晶圓上每個待測量單元的漏電流；
漏電流統(tǒng)計(jì)模塊，用于根據(jù)所有所述待測量單元的漏電流，獲取漏電流中位數(shù)及漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值；
漏電流偏移量獲取模塊，用于根據(jù)所述漏電流中位數(shù)及所述漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值，獲取漏電流偏移量；
漏電流測量閾值獲取模塊，用于根據(jù)所述漏電流中位數(shù)及所述漏電流偏移量，獲取漏電流測量閾值；
待測量單元篩選模塊，用于根據(jù)所述漏電流測量閾值篩選所述待測量單元；
其中，漏電流統(tǒng)計(jì)模塊包括：
漏電流中位數(shù)獲取子模塊，用于根據(jù)所有所述待測量單元的漏電流大小順序，獲取所述漏電流中位數(shù)；
漏電流均值與統(tǒng)計(jì)特征獲取子模塊，用于根據(jù)所有所述待測量單元的漏電流，獲取漏電流均值和漏電流標(biāo)準(zhǔn)方差；
漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值獲取子模塊，用于根據(jù)所述漏電流均值和所述漏電流方差，獲取所述漏電流第一統(tǒng)計(jì)特征值。
8.一種晶圓級測試儀，其特征在于，所述晶圓級測試儀包括如權(quán)利要求7所述的晶圓漏電流測試裝置。
9.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的晶圓漏電流測試方法的步驟。
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