[發(fā)明專利]一種無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點及其制備方法、水溶性量子點以及熒光標(biāo)記試劑

有效

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• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN113061437B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 單玉亮;喬登清;曹佳佳;楊涵妮;曹越峰;趙叔陽;張思源
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州星爍納米科技有限公司
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/02;G01N21/64;A61K49/00;B82Y30/00
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1.一種無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點，其特征在于，包括核體以及包覆于所述核體外的過渡殼層，所述核體包含Ⅲ-Ⅴ族化合物，所述過渡殼層靠近所述核體一側(cè)不含銅元素，遠(yuǎn)離所述核體一側(cè)包含硒元素和銅元素。

2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點，其特征在于，所述無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點的發(fā)射波長在650~1200 nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點，其特征在于，所述過渡殼層包括第一殼層，所述第一殼層靠近所述核體且不含銅元素，所述第一殼層與所述核體的摩爾比為0.1~8。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點，其特征在于，所述第一殼層包含硒化鋅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點，其特征在于，所述銅元素與所述核體的摩爾比為0.1~2。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點，其特征在于，還包括位于所述過渡殼層外的第二殼層，所述第二殼層包含ZnSe、ZnS、ZnSeS或ZnO中的至少一種。

7.一種水溶性量子點，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6任一所述的無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點，以及在所述無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點表面修飾的水溶性配體，所述水溶性配體包含巰基乙酸、巰基聚乙二醇、巰基吐溫、二氫硫辛酸中的至少一種。

8.一種熒光標(biāo)記試劑，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的水溶性量子點。

9.一種無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點的制備方法，其特征在于，包括步驟：

S1、提供初始量子點，所述初始量子點包括核體，所述核體包含Ⅲ-Ⅴ族化合物；

S2、在所述初始量子點上形成過渡殼層，所述過渡殼層靠近所述核體一側(cè)不含銅元素，遠(yuǎn)離所述核體一側(cè)包含硒元素和銅元素。

10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點的制備方法，其特征在于，所述S2包括：在140~340 ℃下向所述初始量子點中加入硒前體、銅前體，以形成過渡殼層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點的制備方法，其特征在于，所述銅前體包括鹵代銅和/或脂肪酸銅。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的無鎘核殼結(jié)構(gòu)量子點的制備方法，其特征在于，在S2之后還包括步驟：

S3、在140~340 ℃下，加入第二殼層前體，以在所述過渡殼層上形成第二殼層。