[發(fā)明專利]激光退火設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110241720.7 | 申請日: | 2021-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN112951745B | 公開(公告)日: | 2023-02-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李若堯;劉松林;路兆里;全祥皓 | 申請(專利權(quán))人: | 重慶京東方顯示技術(shù)有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務(wù)所 11330 | 代理人: | 張?bào)銓?宋海斌 |
| 地址: | 400714 重慶市*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 退火 設(shè)備 | ||
本申請實(shí)施例提供了一種激光退火設(shè)備。在本申請實(shí)施例提供的激光退火設(shè)備中,由于光束截止器朝向收集腔室的一面為凹弧面,且凹弧面的焦距不小于第一尺寸且小于設(shè)計(jì)焦距上限,從而使得第一激光光束經(jīng)過光束截止器的反射后,投射在第一側(cè)壁的第一光斑的面積大于設(shè)計(jì)面積。從而能夠避免第一激光光束集中投射在第一側(cè)壁的某一區(qū)域處,能夠避免第一側(cè)壁中第一光斑投射處出現(xiàn)溫度明顯升高的問題,有利于降低第一側(cè)壁中第一光斑投射處的溫度,進(jìn)而能夠避免光束收集器出現(xiàn)溫度升高的問題,有利于降低光束收集器的溫度,從而有利于降低激光退火設(shè)備整體的溫度。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,本申請涉及一種激光退火設(shè)備。
背景技術(shù)
目前,在顯示面板的LTPS(Low Temperature Poly-Silicon,低溫多晶硅)生產(chǎn)制程中,激光退火設(shè)備為關(guān)鍵的工藝設(shè)備,激光退火設(shè)備決定了非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅的工藝質(zhì)量。
激光退火設(shè)備包括用于吸收冗余激光光束的光束收集器,隨著光束收集器吸收的激光光束的能量的增大,光束收集器的溫度也會隨之增高,而光束收集器的溫度過高會降低非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅的工藝質(zhì)量,因此,在激光光束射入到光束收集器的光斑投射處設(shè)置有冷卻裝置。
但是,對于現(xiàn)有激光退火設(shè)備而言,激光光束射入到激光退火設(shè)備的光束收集器中一側(cè)壁上的光斑面積較小,導(dǎo)致激光光束集中于該側(cè)壁的某一區(qū)域,這會導(dǎo)致該區(qū)域處的溫度會明顯高于其它區(qū)域,容易導(dǎo)致冷卻裝置不能及時帶走該區(qū)域的熱量,從而導(dǎo)致光束收集器出現(xiàn)溫度升高的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本申請針對現(xiàn)有方式的缺點(diǎn),提出一種激光退火設(shè)備,用以解決現(xiàn)有技術(shù)中激光退火設(shè)備的光束收集器容易出現(xiàn)溫度升高的技術(shù)問題。
本申請實(shí)施例提供了一種激光退火設(shè)備,包括:
光束收集器,包括收集腔室,收集腔室的一側(cè)設(shè)置有光束入射窗;
光束截止器,設(shè)置于光束收集器靠近光束入射窗的一側(cè),用于將第一激光光束反射至收集腔室的第一側(cè)壁;光束截止器朝向收集腔室的一面為凹弧面,凹弧面的焦距不小于第一尺寸且小于設(shè)計(jì)焦距上限,使得第一激光光束投射在第一側(cè)壁的第一光斑的面積大于設(shè)計(jì)面積;第一尺寸為凹弧面與光束入射窗之間的距離。
本申請實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益技術(shù)效果包括:
在本申請實(shí)施例提供的激光退火設(shè)備中,由于光束截止器朝向收集腔室的一面為凹弧面,且凹弧面的焦距不小于第一尺寸且小于設(shè)計(jì)焦距上限,從而使得第一激光光束經(jīng)過光束截止器的反射后,投射在第一側(cè)壁的第一光斑的面積大于設(shè)計(jì)面積。從而能夠避免第一激光光束集中投射在第一側(cè)壁的某一區(qū)域處,相當(dāng)于能夠擴(kuò)大第一激光光束投射在第一側(cè)壁上的光斑的面積,由于激光退火設(shè)備中熱交換的面積不小于第一光斑面積,從而能夠提升熱交換的效率,能夠避免第一側(cè)壁中第一光斑投射處出現(xiàn)溫度明顯升高的問題,有利于降低第一側(cè)壁中第一光斑投射處的溫度,進(jìn)而能夠避免光束收集器出現(xiàn)溫度升高的問題,有利于降低光束收集器的溫度,從而有利于降低激光退火設(shè)備整體的溫度。
本申請附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出,這些將從下面的描述中變得明顯,或通過本申請的實(shí)踐了解到。
附圖說明
本申請上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解,其中:
圖1為本申請實(shí)施例提供的一種激光退火設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為第一激光光束從傳統(tǒng)的平面鏡光束截止器的反射到收集腔室內(nèi)的等效光路示意圖;
圖3為本申請實(shí)施例提供的激光退火設(shè)備中第一激光光束從光束截止器反射到收集腔室內(nèi)的另一種等效光路示意圖;
圖4為本申請實(shí)施例提供的圖1所示激光退火設(shè)備的光束截止器中凹弧面的曲率半徑示意圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
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