[發明專利]TSV無源轉接板及其制造方法

有效

• 申請號: 202110241335.2
• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN113035829B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 陳琳;朱寶;孫清清;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學;上海集成電路制造創新中心有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種TSV無源轉接板，其特征在于，包括：

硅襯底，所述硅襯底間隔設有若干通孔；

隔離介質，設于所述通孔的內側面，所述隔離介質的兩端突出于所述硅襯底；

擴散阻擋層，位于所述通孔內，設于所述隔離介質；

第一籽晶層，設于所述擴散阻擋層；

導電層，設于所述第一籽晶層，將所述通孔填充；

第一粘附層、上端籽晶層和第一金屬凸部；

所述第一粘附層覆蓋所述隔離介質、所述擴散阻擋層、所述第一籽晶層和所述導電層的上端，所述上端籽晶層覆蓋所述第一粘附層，所述第一金屬凸部覆蓋所述上端籽晶層；

所述第一粘附層、所述上端籽晶層和所述第一金屬凸部依次層疊形成若干間隔分布的上凸臺。

2.根據權利要求1所述的TSV無源轉接板，其特征在于：

還包括第二粘附層、下端籽晶層和第二金屬凸部；

所述第二粘附層覆蓋所述隔離介質、所述擴散阻擋層、所述第一籽晶層和所述導電層的下端，所述下端籽晶層覆蓋所述第二粘附層，所述第二金屬凸部覆蓋所述下端籽晶層；

所述第二粘附層、所述下端籽晶層和所述第二金屬凸部依次層疊形成若干間隔分布的下凸臺。

3.根據權利要求1所述的TSV無源轉接板，其特征在于：

所述隔離介質的兩端為第一延伸端和第二延伸端，所述第一延伸端和所述第二延伸端垂直于所述硅襯底。

4.根據權利要求3所述的TSV無源轉接板，其特征在于：

所述硅襯底的厚度小于所述隔離介質的高度。

5.一種如權利要求1-4任一項所述的TSV無源轉接板的制造方法，其特征在于：

S01：提供所述硅襯底；

S02：在所述硅襯底上間隔設置若干所述通孔；

S03：在所述通孔內依次層疊設置所述隔離介質、所述擴散阻擋層、所述第一籽晶層和所述導電層，將所述通孔填充；

S04：去除所述隔離介質之間的部分所述硅襯底，使所述隔離介質兩端突出于所述硅襯底。

6.根據權利要求5所述的TSV無源轉接板的制造方法，其特征在于：

所述步驟S02中，先在所述硅襯底上開設若干間隔設置的安裝孔；

所述步驟S03中，所述隔離介質、所述擴散阻擋層、所述第一籽晶層和所述導電層依次層疊填充所述安裝孔且覆蓋所述硅襯底的上表面。

7.根據權利要求6所述的TSV無源轉接板的制造方法，其特征在于：

所述步驟S03中，去除所述隔離介質水平面以上的所述擴散阻擋層、所述第一籽晶層和所述導電層；

然后設置所述第一粘附層，且所述第一粘附層覆蓋顯露的所述隔離介質、所述擴散阻擋層、所述第一籽晶層和所述導電層的上端；

最后依次設置所述上端籽晶層和所述第一金屬凸部。

8.根據權利要求7所述的TSV無源轉接板的制造方法，其特征在于：

所述步驟S04中，去除部分所述上端籽晶層、所述第一粘附層和所述隔離介質，形成間隔分布的所述上凸臺。

9.根據權利要求8所述的TSV無源轉接板的制造方法，其特征在于：

接著去除所述硅襯底的下端，以及下端的部分所述隔離介質、所述擴散阻擋層、所述第一籽晶層和所述導電層；

然后設置第二粘附層，所述第二粘附層覆蓋所述硅襯底的下端面以及所述隔離介質、所述擴散阻擋層、所述第一籽晶層和所述導電層的下端，接著在所述第二粘附層上依次設置下端籽晶層和第二金屬凸部；

最后去除部分所述第二粘附層、所述下端籽晶層和所述硅襯底，形成間隔分布的下凸臺。