[發明專利]一種超低VF軟快恢復二極管

有效

• 申請號: 202110241329.7
• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN112786708B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 李環偉;田旭;雷正龍;許冬梅;孫亞倩;盧昂
• 申請（專利權）人: 深圳吉華微特電子有限公司
• 主分類號: H01L29/868
• 分類號: H01L29/868;H01L29/66
• 代理公司: 深圳市中科創為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 馮建華;劉曰瑩

1.一種超低VF軟快恢復二極管，其特征在于，從上至下依次為：第一金屬電極、氧化層、肖特基勢壘、P+環和P-阱、N-高阻層、N+襯底層、第二金屬電極，其中，所述肖特基勢壘覆蓋有源區的非P-阱區，所述肖特基勢壘占有源區面積的4/6-5/6，所述P-阱占有源區面積的1/6-2/6；所述肖特基勢壘中的勢壘金屬為NiPt合金，所述NiPt合金中Pt的含量為：5％～95％，并且，Pt退火溫度為800℃～950℃。

2.根據權利要求1所述的超低VF軟快恢復二極管，其特征在于，所述P+環和P-阱中摻雜雜質為硼。

3.根據權利要求1所述的超低VF軟快恢復二極管，其特征在于，所述第一金屬電極為正面金屬電極，所述第二金屬電極為背面金屬電極，所述第一金屬電極和所述第二金屬電極均為多層金屬結構，該多層金屬結構至少包括一份：接觸層、過渡層和電極金屬層。

4.根據權利要求3所述的超低VF軟快恢復二極管，其特征在于，所述第一金屬電極的多層金屬結構中，其接觸層為Ti或V，過渡層為Ni，電極金屬層為Al或Ag。

5.權利要求3所述的超低VF軟快恢復二極管，其特征在于，所述第二金屬電極的多層金屬結構中，其接觸層為Ti或V，過渡層為Ni，電極金屬層為Ag。

6.根據權利要求1所述的超低VF軟快恢復二極管，其特征在于，所述P-阱為六邊形或條形。