[發明專利]基板及半導體磊晶結構的雷射分離方法在審
| 申請號： | 202110240272.9 | 申請日： | 2021-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN115008025A | 公開（公告）日： | 2022-09-06 |
| 發明（設計）人： | 林俊成;謝宗樺 | 申請（專利權）人： | 鑫天虹(廈門)科技有限公司 |
| 主分類號： | B23K26/38 | 分類號： | B23K26/38;B23K26/402;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人： | 孫皓晨 |
| 地址： | 361101 福建省廈門市廈門火*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 雷射 分離 方法 | ||
1.一種基板及半導體磊晶結構的雷射分離方法，其特征在于，包括：
提供至少一半導體裝置，其中該半導體裝置包括一基板及至少一半導體磊晶結構，該半導體磊晶結構連接該基板；
以一雷射照射該半導體裝置的一邊緣區域，其中該雷射投射在靠近該基板的該半導體磊晶結構上，并分離位于該邊緣區域的該基板與該半導體磊晶結構；
通過一壓合裝置壓迫該半導體裝置的該邊緣區域；及
以該雷射照射該半導體裝置的一內部區域，該雷射投射在靠近該基板的該半導體磊晶結構上，并分離位于該內部區域的該基板與該半導體磊晶結構，其中該邊緣區域位于該內部區域的周圍。
2.根據權利要求1所述的基板及半導體磊晶結構的雷射分離方法，其特征在于，包括：
將該半導體裝置放置在一吸附平臺上，以該吸附平臺產生的一負壓吸附及固定該半導體裝置；及
該雷射經由該基板進入該半導體裝置，照射在該半導體裝置的該邊緣區域，并投射在靠近該基板的該半導體磊晶結構上，使得靠近該基板的該半導體磊晶結構吸收該雷射的能量而產生熱分解。
3.根據權利要求1所述的基板及半導體磊晶結構的雷射分離方法，其特征在于，其中該邊緣區域的寬度大于或等于1.5mm。
4.根據權利要求1所述的基板及半導體磊晶結構的雷射分離方法，其特征在于，其中該壓合裝置包括復數個壓合單元用以壓迫該半導體裝置的該邊緣區域，并于相鄰的該壓合單元之間存在一間隙。
5.根據權利要求1所述的基板及半導體磊晶結構的雷射分離方法，其特征在于，其中該半導體磊晶結構為一氮化鎵化合物磊晶結構或一氮化鎵磊晶結構。
6.一種基板及半導體磊晶結構的雷射分離方法，其特征在于，包括：
提供至少一半導體裝置，其中該半導體裝置包括一基板及至少一半導體磊晶結構，該半導體磊晶結構連接該基板；
以一雷射沿著該半導體裝置的一側邊位移，以分離位于該側邊的該基板及該半導體磊晶結構，并在該半導體裝置的該側邊形成一第一分離區；
該雷射朝該該第一分離區的徑向內側的方向位移；
該雷射在該第一分離區內側位移，以形成至少一第二分離區，其中該第二分離區與該第一分離區相鄰，并位于該第一分離區的內側；
通過一壓合裝置壓迫該半導體裝置的該第一分離區及該第二分離區；及
以該雷射照射該半導體裝置的一內部區域，該雷射投射在靠近該基板的該半導體磊晶結構上，并分離位于該內部區域的該基板與該半導體磊晶結構，其中該第二分離區位于該內部區域的周圍。
7.根據權利要求6所述的基板及半導體磊晶結構的雷射分離方法，其特征在于，包括：
將該半導體裝置放置在一吸附平臺上，以該吸附平臺產生的一負壓吸附及固定該半導體裝置；及
該雷射經由該基板進入該半導體裝置，照射在該半導體裝置的該第一分離區及該第二分離區，并投射在靠近該基板的該半導體磊晶結構上，使得靠近該基板的該半導體磊晶結構吸收該雷射的能量而產生熱分解。
8.根據權利要求6所述的基板及半導體磊晶結構的雷射分離方法，其特征在于，其中該壓合裝置包括復數個壓合單元用以壓迫該半導體裝置的該第一分離區及該第二分離區，并于相鄰的該壓合單元之間存在一間隙。
9.根據權利要求6所述的基板及半導體磊晶結構的雷射分離方法，其特征在于，其中該第一分離區及該第二分離區的寬度總和大于或等于1.5mm。
10.根據權利要求6所述的基板及半導體磊晶結構的雷射分離方法，其特征在于，其中該雷射投射在該第一分離區的一光斑大于投射在該第二分離區。
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