[發明專利]顯示面板的制備方法

有效

• 申請號: 202110240122.8
• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN113054130B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 申鄭
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟B1：提供一顯示面板，所述顯示面板包括基板和依次設置在所述基板上的襯底、發光器件層和封裝層，所述基板包括功能設置區和設置在所述功能設置區周側的外圍區，所述襯底覆蓋所述功能設置區和所述外圍區，所述發光器件層和所述封裝層均設置在所述功能設置區；

步驟B2：在所述顯示面板對應于所述外圍區的部分上設置保護膠，所述保護膠包括一與所述封裝層分隔設置的開口區，所述開口區沿著所述保護膠的延伸方向延伸，所述保護膠連接于所述襯底和所述封裝層；

步驟B3：在所述顯示面板上設置抗蝕刻膜以形成顯示模組，所述抗蝕刻膜覆蓋所述封裝層、所述保護膠和所述襯底，所述抗蝕刻膜與所述保護膠相連；

步驟B4：在所述顯示模組對應于所述保護膠的開口區形成開口，以裸露所述基板；

步驟B5：采用蝕刻液對所述基板進行雙面蝕刻，以減薄所述基板和去除所述顯示模組對應于所述開口外側的部分；

步驟B6：去除所述抗蝕刻膜。

2.根據權利要求1所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述步驟B2之后和所述步驟B3之前，所述制備方法還包括步驟B21：

在所述基板遠離所述保護膠的對應于所述外圍區的一面上設置黏膠，所述黏膠設置在所述開口區遠離所述封裝層的一側；

所述步驟B3還包括：

所述抗蝕刻膜彎折至所述基板遠離所述保護膠的一面，并與所述黏膠相連。

3.根據權利要求2所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述保護膠和所述黏膠的材料相同。

4.根據權利要求1或2所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述步驟B3之后和所述步驟B4之前，所述制備方法還包括步驟B31：

采用紫外線固化所述保護膠。

5.根據權利要求1或2所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述步驟B5中，所述抗蝕刻膜為抗酸膜，所述蝕刻液包括氫氟酸和水，所述氫氟酸的質量分數介于10％至15％之間。

6.根據權利要求1或2所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述步驟B5中，所述抗蝕刻膜的材料包括石蠟、蜂蠟和樹脂；所述蝕刻液包括氟化銨、硫酸銨、草酸和水，所述氟化銨、所述硫酸銨、所述草酸和所述水的質量比為6.5-9：2-3：15-19：12-17。

7.根據權利要求1或2所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述步驟B5中，采用浸泡法、噴淋法或水平放置法蝕刻所述基板。

8.根據權利要求1或2所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述步驟B4包括以下步驟：

采用第一激光切割所述抗蝕刻膜對應于所述開口區的部分，以裸露出所述保護膠；

采用第二激光切割所述保護膠對應于所述開口區的部分，以裸露出所述襯底；

采用第三激光切割所述襯底對應于所述開口區的部分，以裸露出所述基板，所述第一激光、所述第二激光和所述第三激光的能量不同。

9.根據權利要求1或2所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述步驟B4包括以下步驟：

采用激光一次性切割所述顯示模組對應于所述開口區的部分，以裸露出所述基板。

10.根據權利要求1或2所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述保護膠沿著所述封裝層的周側設置，所述開口區沿著所述保護膠的延伸方向設置；所述保護膠還包括保護區和廢棄區，所述保護區設置在所述開口區靠近所述封裝層的一側，所述廢棄區設置在所述開口區遠離所述封裝層的一側，所述保護區的寬度小于所述開口區的寬度且大于所述廢棄區的寬度。