[發明專利]高磁通密度低損耗鐵基納米晶軟磁合金及其制備方法

在審

• 申請號: 202110239629.1
• 申請日: 2021-03-04
• 公開（公告）號: CN113035485A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 耿振偉;胡庚;朱圓圓;韓仕杰;王雪珂
• 申請（專利權）人: 深圳市麥捷微電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01F1/147
• 分類號: H01F1/147;H01F41/02;C22C38/10;C22C38/12;C22C38/02;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/14;C22C38/04;C22C38/30;C22C38/22;C22C38/32;C22C38/20;C22C38/2
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 袁燕清

1.一種高磁通密度低損耗鐵基納米晶軟磁合金，其特征在于，所述的高磁通密度低損耗鐵基納米晶軟磁合金組成滿足以下分子式：Fe_aCo_bW_cB_dSi_eCu_fAl_gM_i，式中M為C、P、Cr、Ti或Mn其中一種，下標a、b、c、d、e、f、g、i分別為相應元素原子百分比含量，且滿足10.0≤a≤85.0，10.0≤b≤85.0，2.0≤c≤4.5，3.5≤d≤18.5，1.5≤e≤10.0，0.3≤f≤1.2，0.5≤g≤2.5，0.5≤g≤8.5，0.5≤i≤6.0且a+b+c+d+e+f+g+i＝100。

2.一種高磁通密度低損耗鐵基納米晶軟磁合金的制備方法，其特征在于，所述的制備方法包括如下的步驟：

1)配料：按照如權利要求1所述的分子式稱取質量百分比純度不低于99％的各元素原料，進行配料；

2)母合金熔煉：將步驟1)配制好的原料加入熔煉爐坩堝中，將合金原料熔煉后并均勻除渣，得到母合金錠，熔煉溫度為1350-1950℃；

3)進行霧化制粉：將步驟2)中制得的母合金錠在霧化制粉設備上重熔，待母合金全部熔融后，進行霧化制備鐵基非晶軟磁合金；

4)熱處理：將步驟3)中制得的制備的鐵基非晶軟磁合金粉末放入熱處理設備爐進行熱處理；待熱處理后，取出，得到納米晶軟磁合金材料，熱處理溫度為450-550℃。

3.如權利要求2所述的高磁通密度低損耗鐵基納米晶軟磁合金的制備方法，其特征在于，步驟2)中的霧化制備方法為水氣聯合霧化制粉。